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龙图腾网恭喜上海电缆研究所有限公司申请的专利半导电缓冲层电气的测试电路、评估方法及处理终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111060848B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911406771.X，技术领域涉及：G01R31/58；该发明授权半导电缓冲层电气的测试电路、评估方法及处理终端是由徐晓峰;夏俊峰;施楠楠设计研发完成，并于2019-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导电缓冲层电气的测试电路、评估方法及处理终端在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导电缓冲层电气的测试电路、评估方法及处理终端，所述半导电缓冲层电气测试电路包括：高压环，紧贴待测试电缆段的绝缘屏蔽层，且与待测试电缆段的导体短接；屏蔽环，紧贴待测试电缆段的半导电缓冲层；直流源组件，直流源组件的高压极与所述高压环连接，直流源组件的低压极与所述屏蔽环及电缆的金属套连接；其中，半导电缓冲层设置于绝缘屏蔽层的两侧。本发明可有效解决现有带材测试和电缆整体高压电气试验方法的局限和不足；综合反映缓冲带材、绕包结构、铝套间隙等因素，有效评价缓冲层的材料特性、结构特性和电接触特性，为高压电缆成品的缓冲层检验评价提供方法支撑，从而促进高压电缆系统寿命期间的可靠性提升。

本发明授权半导电缓冲层电气的测试电路、评估方法及处理终端在权利要求书中公布了：1.一种半导电缓冲层电气的测试电路，其特征在于，应用于待测试电缆段；所述待测试所述半导电缓冲层电气测试电路包括：高压环，紧贴所述待测试电缆段的绝缘屏蔽层，且与所述待测试电缆段的导体短接；屏蔽环，紧贴所述待测试电缆段的半导电缓冲层；直流源组件，所述直流源组件的高压极与所述高压环连接，所述直流源组件的低压极与所述屏蔽环及电缆的金属套连接；其中，所述半导电缓冲层设置于所述绝缘屏蔽层的两侧；通过获取待测试电缆段在至少三种测试环境下所述半导电缓冲层电气的测试电路中产生的电路试验参数；根据待测试电缆段在至少三种测试环境下产生的所述电路试验参数，按照预设半导电缓冲层的性能评估方式，计算在径向直流回路下所述半导电缓冲层的性能参数；所述试验参数为测试电路中产生的电压值及对应的电流值；所述半导电缓冲层的性能参数包括半导电缓冲层的等效线电阻和或等效面电阻。

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