恭喜森斯泰克有限公司尤尔根·瓦尔森获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜森斯泰克有限公司申请的专利用于磁阻磁场传感器的相邻层结构的布置、磁阻磁场传感器及其生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113383243B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080012220.X，技术领域涉及：G01R33/00；该发明授权用于磁阻磁场传感器的相邻层结构的布置、磁阻磁场传感器及其生产方法是由尤尔根·瓦尔森;约翰尼斯·保罗设计研发完成，并于2020-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于磁阻磁场传感器的相邻层结构的布置、磁阻磁场传感器及其生产方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于磁阻磁场传感器的至少两个相邻布置的层结构的布置。每个层结构包括至少一个反铁磁层和具有第一磁矩的第一铁磁层。在反铁磁层和第一铁磁层之间存在交换耦合。此外，包括具有第二磁矩的第二铁磁层，其中第二铁磁层经由布置在第一和第二铁磁层之间的非磁性耦合层反平行耦合到第一铁磁层。提出了相邻布置的层结构的对应的第一铁磁层和对应的第二铁磁层的磁化强度彼此不同，特别是具有基本上彼此相反的取向。本发明还涉及具有这种层结构布置的磁阻磁场传感器，以及用于生产层结构布置和磁阻磁场传感器的方法。
本发明授权用于磁阻磁场传感器的相邻层结构的布置、磁阻磁场传感器及其生产方法在权利要求书中公布了：1.一种用于磁阻磁场传感器（10）的至少两个相邻布置且同样构造的层结构（100）的布置，每个层结构（100）包括至少一个反铁磁层（114）、具有第一磁矩的第一铁磁层（116）以及具有第二磁矩的第二铁磁层（120），其中，在所述反铁磁层（114）和所述第一铁磁层（116）之间存在交换耦合，所述第二铁磁层（120）经由布置在所述第一铁磁层（116）和所述第二铁磁层（120）之间的非磁性耦合层（118）与所述第一铁磁层（116）反平行耦合，其中，相邻布置为中心到中心距离ΔD为50μm或更小的所述层结构（100）的对应的所述第一铁磁层（116）和所述第二铁磁层（120）的磁化强度彼此不同，其特征在于，相邻的层结构（100）的所有相应的铁磁层（116,120）在一个钉扎步骤中同时建立。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人森斯泰克有限公司，其通讯地址为：德国韦茨拉尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号