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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利绝缘栅极型半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111725304B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010079044.3，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权绝缘栅极型半导体装置是由宫下博行设计研发完成，并于2020-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本绝缘栅极型半导体装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种能够抑制单元间隔的增大、且能够抑制由于沟槽底部周边的下侧埋入区与上侧埋入区之间的相对位置的在制造工序中的偏移而导致的特性的偏差的绝缘栅极型半导体装置。绝缘栅极型半导体装置具备：第一导电型的载体输送层，其由禁带宽度比硅的禁带宽度宽的半导体材料形成；第二导电型的下侧埋入区，其埋入于载体输送层的上部；多个第二导电型的上侧埋入区，其分散地埋入于下侧埋入区上；第二导电型的注入控制区，其设置于上侧埋入区上；以及绝缘栅极构造，其对位于沟槽的侧壁的注入控制区的表面势进行控制，其中，在平面图案中，沟槽为条状，下侧埋入区具有与沟槽分离设置的第一条部，多个上侧埋入区分别间断性地设置于第一条部上。

本发明授权绝缘栅极型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅极型半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的载体输送层，其由禁带宽度比硅的禁带宽度宽的半导体材料形成；第二导电型的下侧埋入区，其选择性地埋入于所述载体输送层的上部；多个第二导电型的上侧埋入区，其在所述下侧埋入区上分散地埋入于所述载体输送层的上部；第二导电型的注入控制区，其设置于所述载体输送层及所述上侧埋入区上；以及绝缘栅极构造，其是使用去向所述下侧埋入区的上表面的位置地贯通所述注入控制区的沟槽来构成的，对位于所述沟槽的侧壁的所述注入控制区的表面势进行控制，其中，所述沟槽的平面图案为条状并且沿第一方向延伸，在平面图案中，所述下侧埋入区具有第一条部，所述第一条部与所述沟槽分离设置并且沿所述第一方向延伸，所述多个第二导电型的上侧埋入区分别间断性地设置于所述第一条部上以使所述多个第二导电型的上侧埋入区在所述第一方向上彼此间隔开。

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