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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利像素驱动电路、像素结构及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111292687B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010103609.7，技术领域涉及：G09G3/3233；该发明授权像素驱动电路、像素结构及显示面板是由刘利宾;冯宇;史世明设计研发完成，并于2020-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本像素驱动电路、像素结构及显示面板在说明书摘要公布了：本发明涉及显示技术领域，提出一种像素驱动电路、像素结构及显示面板，该像素驱动电路包括多个驱动晶体管，每个所述驱动晶体管的第一端连接第一电源端，第二端连接第一节点，控制端连接第二节点，用于在第二节点电压作用下向所述第一节点输入电流。显示面板的低像素密度区可以应用上述像素驱动电路，从而能够避免低像素密度区和高像素密度区之间的亮度差异。

本发明授权像素驱动电路、像素结构及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，所述显示面板的显示区包括低像素密度区和高像素密度区，其特征在于，所述低像素密度区设置有像素驱动电路，所述像素驱动电路包括：多个驱动晶体管，每个所述驱动晶体管的第一端连接第一电源端，第二端连接第一节点，控制端连接第二节点，用于在第二节点电压作用下向所述第一节点输入电流；存储电路，连接于所述第二节点和所述第一电源端之间，用于存储所述第一节点的电压，所述存储电路包括：电容，电容连接于所述第二节点和所述第一电源端之间；所述高像素密度区的像素密度是低像素密度区像素密度的n倍，且所述高像素密度区内的像素驱动电路与所述低像素密度区内的像素驱动电路具有相同的架构；所述高像素密度区中的像素驱动电路包括m个驱动晶体管，所述低像素密度区中像素驱动电路包括n2m个驱动晶体管；在所述高像素密度区，像素驱动电路中电容的电容值为p，在所述低像素密度区，像素驱动电路电容的电容值为n2p；且，所述高像素密度区和低像素密度区中驱动晶体管的尺寸相同；所述像素驱动电路还包括：第一开关电路，连接所述第一电源端、每个所述驱动晶体管的第一端、使能信号端，用于响应于所述使能信号端的信号以导通所述第一电源端和每个所述驱动晶体管的第一端；数据写入电路，连接每个所述驱动晶体管的第一端、数据信号端、栅极信号端、用于响应所述栅极信号端的信号将所述数据信号端的信号传输到每个所述驱动晶体管的第一端；补偿电路，连接所述第一节点、第二节点、栅极信号端，用于响应所述栅极信号端的信号导通所述第一节点和第二节点；第二开关电路，连接所述第一节点、使能信号端、第三节点，用于响应所述使能信号端的信号将所述第一节点的信号传输到所述第三节点；所述第一开关电路包括：第一晶体管，第一端连接所述第一电源端，第二端连接每个所述驱动晶体管的第一端，控制端连接使能信号端；所述数据写入电路包括：第二晶体管，第一端连接所述数据信号端，第二端连接每个所述驱动晶体管的第一端，控制端连接所述栅极信号端；所述补偿电路包括：第三晶体管，第一端连接所述第一节点，第二端连接所述第二节点，控制端连接所述栅极信号端；所述第二开关电路包括：第四晶体管，第一端连接所述第一节点，第二端连接所述第三节点，控制端连接所述使能信号端；所述显示面板还包括在Z方向上依次层叠设置的：有源层、栅极层、导电层；在所述低像素密度区：所述有源层包括第一有源部、第二有源部、第三有源部、第四有源部、多个第七有源部，所述第一有源部用于形成第一晶体管的沟道层，所述第二有源部用于形成第二晶体管的沟道层，所述第三有源部用于形成第三晶体管的沟道层，所述第四有源部用于形成第四晶体管的沟道层，多个所述第七有源部分别用于形成多个驱动晶体管的沟道层；其中，各个所述第七有源部的第一端同层连接于所述第三有源部和所述第四有源部之间，各个所述第七有源部的另一端同层连接于所述第一有源部和所述第二有源部之间；所述栅极层包括第二栅极部、第三栅极部、第四栅极部；所述第二栅极部在Z方向上的投影覆盖第二有源部在Z方向上的投影、第三有源部在Z方向上的投影，第二栅极部的部分用于形成第二晶体管的栅极层，第二栅极部的部分用于形成第三晶体管的栅极层；第三栅极部在Z方向上的投影覆盖多个第七有源部在Z方向上的投影，第三栅极部用于形成多个驱动晶体管的栅极，其中，第三栅极部为一体结构，且第三栅极部复用为所述电容的一电极；第四栅极部在Z方向上的投影覆盖第四有源部在Z方向上的投影、第一有源部在Z方向上的投影，第四栅极部的部分用于形成第四晶体管的栅极，第四栅极部的部分用于形成第一晶体管的栅极；多个所述第七有源部在Z方向上的投影位于第四栅极部在Z方向上的投影和所述第二栅极部在Z方向上的投影之间，且多个所述第七有源部在Z方向上的投影沿第一方向间隔分布；所述导电层包括第二导电部，第二导电部用于形成所述电容的另一电极。

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