恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林明正获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利高电压器件、高电子迁移率晶体管器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447839B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010235496.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权高电压器件、高电子迁移率晶体管器件及其形成方法是由林明正;吴成堡;蔡俊琳;吴浩昀;苏亮宇;王云翔设计研发完成，并于2020-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电压器件、高电子迁移率晶体管器件及其形成方法在说明书摘要公布了：在一些实施例中，本公开涉及一种高电压器件，高电压器件包含衬底，衬底包括第一半导体材料。包括第二半导体材料的沟道层布置在衬底上方。包括第三半导体材料的有源层布置在沟道层上方。在有源层上方的是与漏极触点间隔开的源极触点。栅极结构横向地布置在源极触点与漏极触点之间且布置在有源层上方以界定高电子迁移率晶体管HEMT器件。在栅极结构与源极触点之间的是顶盖结构，顶盖结构耦接到源极触点且与栅极结构横向间隔开。顶盖结构和栅极结构的栅极电极包括相同材料。
本发明授权高电压器件、高电子迁移率晶体管器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种高电压器件，包括：衬底，包括第一半导体材料；沟道层，包括所述衬底上方的第二半导体材料；有源层，包括所述沟道层上方的第三半导体材料；源极触点和漏极触点，位于所述有源层上方且彼此横向间隔开；栅极结构，横向地位于所述源极触点与所述漏极触点之间且布置在所述有源层上方以界定高电子迁移率晶体管器件，所述栅极结构包括栅极电极；以及顶盖结构，耦接到所述源极触点且布置在所述栅极结构与所述源极触点之间，其中所述顶盖结构与所述栅极结构横向间隔开，且其中所述顶盖结构和所述栅极电极包括相同材料，其中所述顶盖结构的上部部分直接接触所述源极触点的上部侧壁，且其中所述顶盖结构的底部部分与所述源极触点的下部侧壁横向间隔开。
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