恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司任飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764503B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010492480.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由任飞;徐娟设计研发完成，并于2020-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体的结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干鳍；沟槽，位于所述半导体衬底中，分隔相邻的有源区；隔离结构，位于所述半导体衬底上并环绕所述鳍底部，其中，所述隔离结构不填充所述沟槽并且封闭所述沟槽的顶部。本申请所述的半导体结构及其形成方法，在相邻的有源区之间形成被空气填充的沟槽，利用所述沟槽隔离相邻的有源区，可以减少相邻有源区之间的漏电。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干鳍结构，所述半导体衬底和所述鳍结构上形成有第一介质层，所述第一介质层暴露所述鳍结构的部分底部表面，在所述半导体衬底中形成有沟槽，所述沟槽分隔相邻的有源区；在所述沟槽顶部的表面外延生长封闭层，所述封闭层封闭所述沟槽顶部，所述沟槽被空气填充；在所述第一介质层上以及封闭层上形成隔离材料层，所述隔离材料层填满所述若干鳍结构之间的空间并且顶部表面高于所述第一介质层的顶部表面；固化所述隔离材料层并氧化所述封闭层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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