恭喜爱思开海力士有限公司李南宰获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112928098B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010646114.9，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的制造方法是由李南宰设计研发完成，并于2020-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的制造方法在说明书摘要公布了：本文提供了一种半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：接触图案，其包括垂直接触部以及在与垂直接触部交叉的方向上从垂直接触部延伸的侧壁接触部；下导电图案，其具有垂直接触部插入其中的孔；以及上导电图案，其与下导电图案的一部分交叠。上导电图案包括与侧壁接触部接触的第一侧部以及面向垂直接触部并与垂直接触部间隔开的第二侧部。
本发明授权半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：沟道结构，该沟道结构包括数据存储层；接触图案，该接触图案包括垂直接触部以及在与所述垂直接触部交叉的方向上从所述垂直接触部延伸的侧壁接触部，其中，所述侧壁接触部联接到所述垂直接触部，并且其中，所述接触图案被设置为与所述沟道结构分离；下导电图案，该下导电图案具有孔，所述垂直接触部被插入到该孔中；以及上导电图案，该上导电图案与所述下导电图案的一部分交叠，其中，所述上导电图案包括与所述侧壁接触部接触的第一侧部以及面向所述垂直接触部并与所述垂直接触部间隔开的第二侧部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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