恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈硕懋获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112466862B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010939696.X，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权封装结构及其形成方法是由陈硕懋;郑心圃;许峯诚设计研发完成，并于2020-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括封装基板及在封装基板上方的中介层基板。中介层基板具有面向封装基板的第一表面及与第一表面相对的第二表面。封装结构还包括设置在第一表面上的第一半导体装置及设置在第二表面上的第二半导体装置。导电结构设置在中介层基板与封装基板之间。第一半导体装置位于导电结构之间。第一半导体装置的第一侧与最相邻的导电结构相距一第一距离，以及第一半导体装置的第二侧与最相邻的导电结构相距一第二距离，第一侧相对于第二侧，并且第一距离大于第二距离。
本发明授权封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，包括：一封装基板；一中介层基板，设置在该封装基板上方，其中，该中介层基板具有面向该封装基板的一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面；一第一半导体装置，设置在该中介层基板的该第一表面上；一第二半导体装置，设置在该中介层基板的该第二表面上；以及多个导电结构，设置在该中介层基板与该封装基板之间，用以将该中介层基板接合到该封装基板，其中，该第一半导体装置位于所述多个导电结构之间，其中，该第一半导体装置的一第一侧在一第一方向上与最相邻的导电结构相距一第一距离，以及该第一半导体装置的一第二侧在该第一方向上与最相邻的导电结构相距一第二距离，其中，该第一侧相对于该第二侧，并且该第一距离大于该第二距离；其中，该封装基板具有面向该中介层基板的该第一表面的一上表面及形成在该上表面上的一凹槽，其中，该凹槽配置以容纳该第一半导体装置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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