恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑二虎获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010955118.5，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎;张海洋设计研发完成，并于2020-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供基底；形成若干源漏结构、若干栅极结构和第一保护结构，所述源漏结构位于所述栅极结构两侧的基底内，所述栅极结构位于所述基底上，所述栅极结构包括栅电极层，并且，所述第一保护结构位于所述栅电极层顶面；在所述基底上形成若干第一导电结构，所述第一导电结构位于所述栅极结构至少一侧的源漏结构上；在形成第一导电结构后，形成第二保护结构和第一侧墙，所述第二保护结构位于所述第一导电结构顶面，所述第一侧墙位于所述第一保护结构和第二保护结构之间。从而，提高了半导体结构的可靠性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；位于基底上的若干栅极结构，所述栅极结构包括栅电极层；位于所述栅极结构两侧的基底内的若干源漏结构；位于所述栅电极层顶面的第一保护结构；位于所述基底上的第一导电结构，所述第一导电结构还位于所述栅极结构至少一侧的源漏结构上；位于所述第一导电结构顶面的第二保护结构；位于所述第一保护结构和第二保护结构之间的第一侧墙；其中，所述栅极结构及第一保护结构的侧壁面还形成有第二侧墙，所述第二侧墙的顶面位于所述栅极结构顶面与第一保护结构顶面之间；所述第一侧墙还位于所述第二侧墙的顶面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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