恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司韩秋华获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188278B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010963305.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由韩秋华设计研发完成，并于2020-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区；在第一区的衬底上形成第一掩膜结构；在第二区的衬底内形成第二鳍部材料层；在第二鳍部材料层上形成第二掩膜结构，第二掩膜结构与第一掩膜结构的材料不同；在第一掩膜结构和第二掩膜结构上形成若干分立排布的鳍部图形；以鳍部图形为掩膜，刻蚀第二掩膜结构和第二鳍部材料层，在第二区的衬底上形成第二鳍部；形成覆盖第二鳍部侧壁的保护层；以鳍部图形为掩膜，刻蚀第一掩膜结构和第一区的衬底，在第一区的衬底上形成第一鳍部。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法，能分别形成NMOS区和PMOS区上的鳍部，有利于提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区和第二区；在所述第一区的所述衬底上形成第一掩膜结构；在所述第二区的所述衬底内形成第二鳍部材料层，所述第二鳍部材料层的顶部表面与所述第一区的衬底的顶部表面齐平；在所述第二鳍部材料层上形成第二掩膜结构，所述第二掩膜结构与所述第一掩膜结构的材料不同；在所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构上形成若干分立排布的鳍部图形；以所述鳍部图形为掩膜，刻蚀所述第二掩膜结构和所述第二鳍部材料层，至露出所述衬底的表面，在所述第二区的衬底上形成第二鳍部；形成覆盖所述第二鳍部侧壁的保护层；以所述鳍部图形为掩膜，刻蚀所述第一掩膜结构和所述第一区的衬底，在所述第一区的衬底上形成第一鳍部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号