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龙图腾网恭喜珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司申请的专利一种少子寿命控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256066B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011005223.9，技术领域涉及：H01L21/203；该发明授权一种少子寿命控制方法是由刘勇强;史波;马颖江;曾丹;林志龙设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种少子寿命控制方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种少子寿命控制方法，应用于第一硅晶片，第一硅晶片属于RC‑IGBT，方法包括：向第一硅晶片注入第一离子，得到P型半导体；在P型半导体上淀积阻隔层；从阻隔层上刻蚀出第一区域，并将第一区域作为续流二极管区域，第一区域不具有阻隔层；向第一区域注入第二离子，以在第一区域上形成N型半导体；对形成N型半导体的第一区域进行重金属溅射；采用第一热处理方式，对包含经过重金属溅射的第一区域的所述第一硅晶片进行热处理，以使重金属在第一硅晶片中形成复合中心。由于复合中心可以改变第一硅晶片中少子的复合方式，将少子的复合方式由直接复合变为间接复合，因此，可以有效地减少少子的复合时间从而降低续流二极管的反向恢复时间。

本发明授权一种少子寿命控制方法在权利要求书中公布了：1.一种少子寿命控制方法，其特征在于，应用于第一硅晶片，所述第一硅晶片属于RC-IGBT，所述方法包括：向所述第一硅晶片注入第一离子，得到P型半导体，第一硅晶片为由晶圆制作RC-IGBT的过程中，晶圆所具有的一种形态；在所述P型半导体上淀积阻隔层；从所述阻隔层上刻蚀出第一区域，并将所述第一区域作为续流二极管区域，所述第一区域不具有所述阻隔层；向所述第一区域注入第二离子，以在所述第一区域上形成N型半导体；对形成所述N型半导体的所述第一区域进行重金属溅射，祛除所述重金属；采用第一热处理方式，对包含经过所述重金属溅射的所述第一区域的所述第一硅晶片进行热处理，以使所述重金属在所述第一硅晶片中形成复合中心，包括：采用热推结的方式，对包含祛除所述重金属的所述第一区域的所述第一硅晶片进行热处理，以使所述重金属在所述第一硅晶片中形成复合中心。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司，其通讯地址为：519070 广东省珠海市前山金鸡西路；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。