恭喜株式会社村田制作所丹下贵之获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社村田制作所申请的专利硅变压器集成芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114303210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080061321.6，技术领域涉及：H01F19/04；该发明授权硅变压器集成芯片是由丹下贵之;牛见义光设计研发完成，并于2020-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅变压器集成芯片在说明书摘要公布了：一种变压器，包括：硅衬底；多个金属层和多个绝缘层，层压在硅衬底上；金属的底部绕组，与多个金属层中的第一金属层和第二金属层接触；第一绝缘层，位于底部绕组上；磁芯，位于第一绝缘层上；第二绝缘层，位于磁芯上；金属的顶部绕组，围绕磁芯和第二绝缘层的一部分延伸；以及第三绝缘层，位于顶部绕组上。顶部绕组和底部绕组中的至少一个比多个金属层中的每一个厚。
本发明授权硅变压器集成芯片在权利要求书中公布了：1.一种变压器，包括：硅衬底；多个金属层和多个绝缘层，层压在所述硅衬底上；金属的第一底部绕组和铜的第二底部绕组，所述第一底部绕组与所述多个金属层中的第一金属层接触，并且所述第二底部绕组与所述多个金属层中的第二金属层接触；第一绝缘层，位于所述第一底部绕组和所述第二底部绕组上；磁芯，位于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，位于所述磁芯上；所述金属的第一顶部绕组和第二顶部绕组，围绕所述磁芯和所述第二绝缘层的一部分延伸；以及第三绝缘层，位于所述第一顶部绕组和所述第二顶部绕组上；其中包括所述第一顶部绕组、所述第二顶部绕组、所述第一底部绕组和所述第二底部绕组在内的组中的至少一个比所述多个金属层中的每一个厚，其中，所述第一顶部绕组和所述第一底部绕组限定初级绕组；所述第二顶部绕组和所述第二底部绕组限定次级绕组；以及所述初级绕组和所述次级绕组与所述多个金属层中的相应金属层连接并且不彼此电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社村田制作所，其通讯地址为：日本京都府；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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