恭喜台积电(中国)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司陈正龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜台积电(中国)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利横向扩散的MOSFET及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078969B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011083543.6，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权横向扩散的MOSFET及其制造方法是由陈正龙设计研发完成，并于2020-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本横向扩散的MOSFET及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及横向扩散的MOSFET及其制造方法。一种半导体器件包括具有第一导电类型的第一半导体区域和具有第二导电类型的第二半导体区域、第二半导体区域中的源极区域和体接触区域。该半导体器件还包括在第二半导体区域中，横向位于源极区域和第一半导体区域之间的沟道区域、覆盖于沟道区域和第一半导体区域的一部分两者之上的栅极电介质层以及覆盖于栅极电介质层之上的栅极电极。半导体器件还包括覆盖体接触区域的上表面和源极区域的侧表面的共形导电层。
本发明授权横向扩散的MOSFET及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：第一半导体区域，所述第一半导体区域具有第一导电类型；第二半导体区域，所述第二半导体区域具有第二导电类型；源极区域，所述源极区域在所述第二半导体区域中；沟道区域，所述沟道区域在所述第二半导体区域中，横向位于所述源极区域和所述第一半导体区域之间；栅极电介质层，所述栅极电介质层覆盖于所述沟道区域和所述第一半导体区域的一部分两者之上；栅极电极，所述栅极电极覆盖于所述栅极电介质层之上；体接触区域，所述体接触区域在所述第二半导体区域中；以及共形导电层，所述共形导电层覆盖所述体接触区域的上表面和所述源极区域的第一侧表面，其中，所述源极区域覆盖于所述体接触区域之上，所述源极区域具有垂直对准所述栅极电极的侧面的第二侧表面，所述体接触区域具有垂直对准所述栅极电极的侧面的第一侧表面。
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