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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利发光二极管基板及其制作方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114698401B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080002595.8，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权发光二极管基板及其制作方法、显示装置是由李海旭;张笑;王飞;王明星;李树磊;董学;袁广才;曹占锋;谷新;王珂;曲峰;梁轩;闫俊伟设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管基板及其制作方法、显示装置在说明书摘要公布了：一种发光二极管基板及其制作方法和显示装置。该发光二极管基板的制作方法包括：在衬底上形成M个发光二极管芯片的外延层组；将N个衬底上的N个外延层组转移到中载基板上，N个衬底上的N个外延层组密集排列在中载基板上；以及将中载基板上的N个外延层组对应的N*M个发光二极管芯片中至少部分发光二极管芯片转移到驱动基板上。中载基板的面积大于等于N个衬底的面积之和，M为大于等于2的正整数，N为大于等于2的正整数。由此，该发光二极管基板的制作方法可大大提高取用效率和转移效率。

本发明授权发光二极管基板及其制作方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管基板的制作方法，包括：在衬底上生长M个发光二极管芯片的外延层组；将N个所述衬底上的N个所述外延层组转移到中载基板上，N个所述衬底上的N个所述外延层组密集排列在所述中载基板上；以及将所述中载基板上的N个所述外延层组对应的N*M个所述发光二极管芯片中至少部分所述发光二极管芯片转移到驱动基板上，其中，所述在衬底上生长M个发光二极管芯片的外延层组包括：在所述衬底上生长第一导电类型半导体层，在所述第一导电类型半导体层远离所述衬底的一侧生长发光层；以及在所述发光层远离所述第一导电类型半导体层的一侧形成第二导电类型半导体层；所述N个所述衬底上的N个所述外延层组对应的发光二极管芯片的发光颜色相同；所述中载基板的面积大于等于N个所述衬底的面积之和，M为大于等于2的正整数，N为大于等于2的正整数。

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