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龙图腾网恭喜安普莱西娅有限责任公司;X-FAB全球服务有限公司申请的专利具有混和型接触的LDMOS及其他MOS晶体管的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114946035B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080077330.4，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权具有混和型接触的LDMOS及其他MOS晶体管的装置及方法是由B.托纳;刘正超;G.M.多尔尼;W.R.小理查兹设计研发完成，并于2020-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有混和型接触的LDMOS及其他MOS晶体管的装置及方法在说明书摘要公布了：一种侧向DMOS晶体管结构，其包括：具有第一掺杂剂极性的基板；具有该第一掺杂剂极性的主体区；源极区；具有第二掺杂剂极性的漂移区；漏极区；沟道区；该沟道区上方的栅极结构；该源极区中的具有该第二掺杂剂极性的混和型接触注入物；及该源极区、该栅极结构及该漏极区中的每一者上或内的各别金属接触。该混和型接触注入物及该金属接触一起形成界定第一、第二及第三电接面的混和型接触。该第一接面为垂直地形成于源极金属接触与主体之间的肖特基接面。该第二接面为侧向地形成于该源极金属接触与该混和型接触注入物之间的欧姆接面。该第三接面为该混和型接触注入物与该沟道区之间的整流PN接面。

本发明授权具有混和型接触的LDMOS及其他MOS晶体管的装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种侧向DMOS晶体管结构，其包含：a具有第一掺杂剂极性的基板；b具有第一掺杂剂极性的主体区；c主体分接头，具有该第一掺杂剂极性，在该主体区内；d该主体区上或内的源极区；e具有第二掺杂剂极性的漂移区；f该漂移区上或内的漏极区；g该源极区与该漂移区之间的沟道区；h该沟道区上方的栅极结构，其中该栅极结构具有源极区侧及漏极区侧，栅极侧壁间隔件结构是沿着该栅极结构在其该源极区侧上安置；i该源极区中的具有该第二掺杂剂极性的混和型接触注入物，其中该混和型接触注入物的第一部分位于该栅极侧壁间隔件结构的正下方；及j该源极区、该栅极结构、该主体分接头及该漏极区中的每一者上或内的各别金属接触，其中该主体分接头实现该金属接触与该主体区之间的欧姆连接；k其中该混和型接触注入物与该源极区上或内的该金属接触组合以形成界定第一、第二及第三电接面的混和型接触，其中该第一电接面为垂直地形成于源极金属接触与主体之间的肖特基接面，其中该第二电接面为侧向地形成于该源极金属接触与该混和型接触注入物之间的欧姆接面，且其中该第三电接面为该混和型接触注入物与该沟道区之间的整流PN接面，为肖特基接面的该第一电接面的至少一部分在垂直方向上不重叠于该栅极侧壁间隔件结构。

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