恭喜华为技术有限公司周大为获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网恭喜华为技术有限公司申请的专利一种电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114583436B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011378857.9,技术领域涉及:H01Q1/24;该发明授权一种电子设备是由周大为;王汉阳;蔡晓涛;胡文龙设计研发完成,并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电子设备在说明书摘要公布了:本申请实施例提供了一种电子设备,包括一种天线结构,通过NMT工艺进行二次注塑的工艺以改变其辐射体在不同位置对应的介质层的介质参数,可以达到改变天线辐射特性,提高天线辐射效率的目的。电子设备可以包括:边框和介质层;所述边框具有第一位置和第二位置,其中,所述第一位置和所述第二位置间的边框作为天线辐射体;除所述第一位置和所述第二位置间的边框外,所述边框的至少部分内表面设置有第一介质;所述天线辐射体的至少部分表面设置有第二介质;所述第一介质和所述第二介质不同。
本发明授权一种电子设备在权利要求书中公布了:1.一种电子设备,其特征在于,包括:边框和介质层,所述介质层设置在所述边框的表面并包括第一介质层和第二介质层,所述第一介质层包括第一介质,所述第二介质层包括第二介质;所述边框具有第一位置和第二位置,其中,所述第一位置和所述第二位置间的边框作为天线辐射体;其中,除所述第一位置和所述第二位置间的边框外,所述边框的至少部分内表面设置有所述第一介质;所述边框的第一位置处开设有第一缝隙,所述第一缝隙由所述第二介质填充,和或,所述辐射体具有第三缝隙,所述第三缝隙由所述第二介质填充;所述第一介质和所述第二介质的介电常数或介质损耗因子不同,或者,所述第一介质为电介质、且所述第二介质为磁介质。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华为技术有限公司,其通讯地址为:518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。