恭喜京瓷株式会社山口胜义获国家专利权
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龙图腾网恭喜京瓷株式会社申请的专利电容器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114846569B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080088037.8，技术领域涉及：H01G4/30；该发明授权电容器是由山口胜义设计研发完成，并于2020-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器在说明书摘要公布了：具备电介质层和内部电极层交替地层叠多层的电容器主体；电介质层包含钛酸钡的晶粒、稀土元素以及硅；晶粒包含第1晶粒和第2晶粒；在将晶粒中的表层的部分作为壳部，将该壳部包围的内侧的部分作为芯部时，第1晶粒具有：稀土元素的浓度在壳部比在芯部高的分布；第2晶粒具有：芯部以及壳部中的硅的浓度比小于第1晶粒的芯部以及壳部中的稀土元素的浓度比的分布。
本发明授权电容器在权利要求书中公布了：1.电容器，具备电介质层和内部电极层交替地层叠多层的电容器主体；所述电介质层包含以钛酸钡作为主成分的晶粒、稀土元素以及硅；所述晶粒包含第1晶粒和第2晶粒；在分别将所述第1晶粒和所述第2晶粒中的表层的部分作为壳部，将该壳部包围的内侧的部分作为芯部时，所述第1晶粒具有：稀土元素的浓度在所述第1晶粒的壳部比在所述第1晶粒的芯部高的分布，硅固溶至所述第2晶粒的内部，所述第2晶粒具有：所述第2晶粒的芯部以及所述第2晶粒的壳部中的硅的浓度比小于所述第1晶粒的芯部以及所述第1晶粒的壳部中的稀土元素的浓度比的分布；所述第2晶粒中，所述第2晶粒的壳部中所含的硅的浓度与所述第2晶粒的芯部中所含的硅的浓度的比为1以上且1.5以下；所述电介质层中以个数比80%以上包含所述第2晶粒。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京瓷株式会社，其通讯地址为：日本京都府；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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