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龙图腾网恭喜江苏宏微科技股份有限公司申请的专利一种功率半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112652666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011552697.5，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种功率半导体器件及其制作方法是由张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;赵善麒设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体器件及其制作方法，所述功率半导体器件包括N基体和中间P+层，所述N基体的顶部两端均设有有源区N+层和包裹所述有源区N+层的P区，所述P区包括沟道P‑层，所述沟道P‑层被配置在所述有源区N+层的内侧，所述栅氧化层被配置在所述N基体的表面中部，并覆盖到所述有源区N+层，所述中间P+层被配置在两个所述P区之间，且与两个所述P区相连。本发明提供的一种功率半导体器件，能够在漏极施压时降低栅氧化层承受的电场强度，减小栅氧化层被击穿的几率，提高器件的可靠性，同时可保证器件的沟道密度。

本发明授权一种功率半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：N基体1，所述N基体1的顶部两端均设有有源区N+层2和包裹所述有源区N+层2的P区3；P区3，所述P区3包括沟道P-层31，所述沟道P-层31被配置在所述有源区N+层2的内侧；栅氧化层5，所述栅氧化层5被配置在所述N基体1的表面中部，并覆盖到所述有源区N+层2；中间P+层4，所述中间P+层4被配置在两个所述P区3之间，且与两个所述P区3相连；所述中间P+层4为多个，间隔地沿垂直于所述功率半导体器件的元胞结构截面的方向平行排布；所述中间P+层4包括第一中间P+层和第二中间P+层，所述第一中间P+层被配置在两个所述沟道P-层31之间，所述第二中间P+层由所述沟道P-层31经过高掺杂形成；所述功率半导体器件的制备方法包括：S1，采用外延工艺，在N+衬底11表面外延一层所需厚度的N-外延层12和P-外延层，形成N基体1；S2，采用光刻和离子注入工艺，光刻定义出中间N+层13区域，利用注入不同能量氮离子或磷离子，使相应P-外延层中的中间N+层13对应的区域补偿为N型掺杂形成中间N+层13；这样，首先通过外延工艺外延出一个P-外延层，然后再在该P-外延层上注入相应的N型半导体杂质形成中间N+层13，P-外延层中的一部分留作沟道P-层31；S3，采用光刻和离子注入工艺，光刻定义出需要注入的P+1层32，利用注入不同能量铝离子注入到有源层不同深度相应区域形成P+1层32；S4，采用光刻和离子注入工艺，光刻定义出需要注入的P+2层33，利用注入不同能量铝离子注入到有源层不同深度相应区域形成P+2层33，P+1层32、P+2层33和P-层构成P区3；S5，采用光刻和离子注入工艺，光刻定义出中间P+层4区域，注入铝离子，形成中间P+层4；S6，采用光刻和离子注入工艺，光刻定义出需要注入的区域，利用注入不同能量氮离子或磷离子相应区域，形成有源区N+层2；S7，采用热氧化工艺，在N基体1表面使用热氧化生长一层氧化层，形成栅氧化层5；S8，采用淀积工艺，在栅氧化层5上面淀积一层多晶硅，形成多晶硅栅6；S9，采用光刻和刻蚀工艺，光刻定义出不同的多晶硅栅6区域，并刻蚀掉不需要的多晶硅；S10，采用淀积工艺，在多晶硅栅6表面淀积一层绝缘介质层7，作为多晶硅栅6与金属的电隔离；S11，采用光刻和刻蚀工艺，光刻定义出有源层孔层和不同多晶硅栅6上的孔层，并刻蚀掉不需要的绝缘介质层7；S12，采用淀积工艺，在绝缘介质层7上淀积一层金属；S13，采用光刻和刻蚀工艺，光刻定义出有源层金属区域和栅极金属区域，进行刻蚀，形成器件的有源区电极和栅极电极；所述S1-S2还可以被替换为：采用外延工艺，在N+衬底11表面外延一层所需厚度的N-外延层12，形成N基体1；采用光刻和离子注入工艺，光刻定义出沟道P-层31区域，注入铝离子，形成沟道P-层31；采用光刻和离子注入工艺，光刻定义出中间N+层13区域，利用注入不同能量氮离子或磷离子，形成中间N+层13；这样，通过在N-外延层12上注入不同离子分别形成沟道P-层31和中间N+层13。

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