恭喜台湾积体电路制造股份有限公司黄玉莲获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110004234.3，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件及方法是由黄玉莲;王冠人;傅劲逢设计研发完成，并于2021-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及方法。在实施例中，一种结构包括：衬底之上的接触蚀刻停止层CESL；延伸穿过CESL的鳍；鳍中的外延源极漏极区域，外延源极漏极区域延伸穿过CESL；接触外延源极漏极区域的上刻面的硅化物；接触硅化物、外延源极漏极区域的下刻面以及CESL的第一表面的源极漏极接触件；以及围绕源极漏极接触件的层间电介质ILD层，该ILD层接触CESL的第一表面。
本发明授权半导体器件及方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在第一电介质层上沉积接触蚀刻停止层CESL；在所述CESL上沉积第二电介质层；在所述第二电介质层、所述CESL和所述第一电介质层中蚀刻沟槽；在所述沟槽中生长鳍；去除所述第二电介质层；在所述鳍中蚀刻源极漏极凹槽，所述源极漏极凹槽延伸穿过所述CESL；在所述源极漏极凹槽中生长外延源极漏极区域；在所述外延源极漏极区域和所述CESL上沉积层间电介质ILD层；利用各向同性蚀刻来穿过所述ILD层蚀刻开口，所述各向同性蚀刻去除所述ILD层的在所述外延源极漏极区域下方的部分，以暴露所述外延源极漏极区域的下刻面和所述CESL；以及在所述开口中形成源极漏极接触件，所述源极漏极接触件沿所述外延源极漏极区域的所述下刻面延伸。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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