恭喜台湾积体电路制造股份有限公司黄玉莲获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140510B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110048155.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体装置及其制造方法是由黄玉莲设计研发完成，并于2021-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置的制造方法及一种半导体装置，所述方法包括在一栅极堆叠上形成一第二硬质遮罩层，以于蚀刻自对准接触件的期间保护栅极。前述第二硬质遮罩层形成于第一硬质遮罩层的上方，其中前述第一硬质遮罩层具有比前述第二硬质遮罩层更低的蚀刻选择性。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括：在一基底上方形成一第一栅极，该第一栅极设置于第一栅极间隔物之间；在该基底上方形成一第一介电层，且该第一介电层围绕该第一栅极；在该第一栅极上方形成一第一硬质遮罩层，且该第一硬质遮罩层具有第一蚀刻选择性；下凹该第一硬质遮罩层；下凹该些第一栅极间隔物的上表面，使得该些第一栅极间隔物的该些上表面低于该第一硬质遮罩层的上表面；在该第一硬质遮罩层上方形成一第二硬质遮罩层，该第二硬质遮罩层向下延伸至该第一硬质遮罩的侧壁，该第二硬质遮罩层具有第二蚀刻选择性，且该第二蚀刻选择性大于该第一蚀刻选择性；在该第一栅极及该第一介电层上方形成一第二介电层；蚀刻出穿过该第二介电层及该第一介电层的一第一开口，以暴露出相邻于该第一栅极的一第一源极漏极区以及相邻于该第一栅极的一第二源极漏极区，该第二硬质遮罩层的该第二蚀刻选择性保护该第一硬质遮罩层免于被蚀刻；以一导电材料填充该第一开口；以及下凹该第二硬质遮罩层、该导电材料以及该第二介电层，以使该第一硬质遮罩层、该导电材料以及该第一介电层的顶表面齐平，凹陷的该导电材料形成一第一导电接触件至该第一源极漏极区以及一第二导电接触件至该第二源极漏极区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号