恭喜中国科学院微电子研究所;西安电子科技大学陈晓娟获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所;西安电子科技大学申请的专利一种适用于划片后分立器件的提参建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792081B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110109527.8，技术领域涉及：G06F30/373；该发明授权一种适用于划片后分立器件的提参建模方法是由陈晓娟;刘新宇;丁武昌;张昇;李艳奎;刘果果;袁婷婷;郑英奎;魏珂;金智设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于划片后分立器件的提参建模方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种适用于划片后分立器件的提参建模方法，包括：将左侧焊盘、划片后的待测器件和右侧焊盘通过金丝键合方式连接成GSG在片测试结构；测量得到由左、右侧焊盘引起的左、右两侧补偿网络的容性补偿参数；基于左、右侧焊盘分别与待测器件之间的直通距离分别确定由金丝键合的金丝线引起的左、右两侧补偿网络的感性补偿参数；根据左、右两侧补偿网络的感性补偿参数和容性补偿参数确定左、右两侧补偿网络的S参数；将左、右两侧补偿网络的S参数分别添加至矢量网络分析仪的测试校准补偿数据的输入和输出端，以去除GSG在片测试结构布线影响。本发明可以快速有效的获得精确的大信号模型，规避了器件工艺的片间不均匀所带来的模型变动。
本发明授权一种适用于划片后分立器件的提参建模方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于划片后分立器件的提参建模方法，其特征在于，包括以下步骤：将左侧焊盘、划片后的待测器件和右侧焊盘通过金丝键合方式连接成GSG在片测试结构；测量得到由左、右侧焊盘引起的左、右两侧补偿网络的容性补偿参数；基于左、右侧焊盘分别与待测器件之间的直通距离Lm和Ln分别确定由金丝键合的金丝线引起的左、右两侧补偿网络的感性补偿参数；根据左、右两侧补偿网络的感性补偿参数和容性补偿参数确定左、右两侧补偿网络的S参数；将左、右两侧补偿网络的S参数分别添加至矢量网络分析仪的测试校准补偿数据的输入和输出端，以去除GSG在片测试结构布线影响，用于分立器件的提参建模。
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