恭喜台湾积体电路制造股份有限公司吴琬瑶获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130397B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110103244.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由吴琬瑶;温明璋;张长昀设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本申请说明半导体结构的形成方法，其包括：形成栅极结构于基板上；形成层间介电结构以围绕栅极结构；以及形成第一开口于栅极结构与层间介电结构中。第一开口具有栅极结构中的第一部分，以及层间介电结构中的第二部分，其中第一部分的宽度大于第二部分的宽度。方法还包括沉积介电层于第一开口中，以及形成第二开口于第一开口上。沉积介电层后，第一开口的第一部分维持开放，而介电层填入第一开口的第二部分。栅极结构中的第二开口的深度大于栅极结构中的第一开口的深度。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，包括：形成一栅极结构于一基板上；形成一层间介电结构以围绕该栅极结构；形成一第一开口于该栅极结构与该层间介电结构中，其中该第一开口具有该栅极结构中的一第一部分，以及该层间介电结构中的一第二部分，且该第一部分的宽度大于该第二部分的宽度；沉积一介电层于该第一开口中，其中该第一开口的该第一部分维持开放，而该介电层填入该第一开口的该第二部分；以及形成一第二开口于该第一开口上，其中该栅极结构中的该第二开口的深度大于该栅极结构中的该第一开口的深度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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