恭喜台湾积体电路制造股份有限公司高琬贻获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113658916B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110138324.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其制造方法是由高琬贻;林洪正;张哲豪;卢永诚;徐志安设计研发完成，并于2021-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本文提出了半导体器件及其制造方法，其中制造了用于纳米结构的内部间隔件。在实施方式中，将电介质材料沉积用于内部间隔件，然后进行处理。所述处理可添加材料并导致体积膨胀，以闭合可能干扰后续工艺的任何缝隙。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层；使所述第一半导体层水平地凹陷；在所述第一半导体层的凹陷表面和所述第二半导体层的侧壁上形成第一内部间隔件；以及对所述第一内部间隔件执行退火工艺以形成第二内部间隔件，所述第二内部间隔件具有比所述第一内部间隔件更大的氧含量。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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