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龙图腾网恭喜联发科技股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380293B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110145905.8，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权半导体装置是由简惇妃;王嘉维设计研发完成，并于2021-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置，其包括存储电路。存储电路包括存储单元阵列和多个IO电路，多个IO电路包括至少第一组IO引脚和第二组IO引脚。存储单元阵列中的一位存储单元的M×N阵列被分组为以两列的M×1个一位存储单元为一组，共N2个两列组，M为代表行数的正整数，N为代表列数的正整数。每两列的M×1个一位存储单元包括第一列的M×1个一位存储单元和第二列的M×1个一位存储单元。与第一列的M×1个一位存储单元对应的第一组IO引脚位于阵列布局的第一侧，与第二列的M×1个一位存储单元对应的第二组IO引脚位于阵列布局的与第一侧相对的第二侧。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：存储电路，所述存储电路包括存储单元阵列和多个输入输出IO电路，所述多个IO电路包括多个IO引脚，所述多个IO引脚包括至少第一组IO引脚和第二组IO引脚，其中，所述存储单元阵列中的一位存储单元的M×N阵列被分组为以两列的M×1个一位存储单元为一组，所述两列的组共N2个，每列的M×1个一位存储单元具有相应的IO电路，其中M为代表行数的正整数，N为代表列数的正整数，其中，每两列的M×1个一位存储单元包括第一列的M×1个一位存储单元和第二列的M×1个一位存储单元，其中，与所述第一列的M×1个一位存储单元对应的所述第一组IO引脚位于阵列布局的第一侧，与所述第二列的M×1个一位存储单元对应的所述第二组IO引脚位于所述阵列布局的与所述第一侧相对的第二侧，所述存储电路还包括内部电源网格，并且所述内部电源网格的间距是每个所述一位存储单元的对应IO引脚的间距的四倍。

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