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龙图腾网恭喜住友电气工业株式会社;国立大学法人东北大学申请的专利制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113284799B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110176037.X，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权制造半导体器件的方法是由菅原健太;寒川诚二;大堀大介设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及制造半导体器件的方法，半导体器件包括衬底、在衬底上的包含镓的第一氮化物层以及在第一氮化物层上的包含硅的第二氮化物层，所述方法包括：产生包含氯原子或溴原子的气体的蚀刻剂；通过蚀刻剂相对于第一氮化物层选择性地去除第二氮化物层，在产生蚀刻剂时，通过气体的等离子体放电来产生蚀刻剂，在选择性地去除第二氮化物层中，防止等离子体放电时产生的紫外线照射第二和第一氮化物层，选择性地去除第二氮化物层包括在第一气氛下以第一压力蚀刻第二氮化物层，第一压力低于包含硅原子和被包含在气体中的氯原子或溴原子的硅化合物的第一饱和蒸汽压且高于包含镓原子和被包含在气体中的氯原子或溴原子的镓化合物的第二饱和蒸汽压。

本发明授权制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的包含镓的第一氮化物层；在所述第一氮化物层上的包含硅的第二氮化物层，所述方法包括：产生包含氯原子或溴原子的气体的蚀刻剂；以及通过所述蚀刻剂相对于所述第一氮化物层选择性地去除所述第二氮化物层，其中，在产生所述蚀刻剂时，通过所述气体的等离子体放电来产生所述蚀刻剂，其中，在选择性地去除所述第二氮化物层中，防止所述等离子体放电时产生的紫外线照射所述第二氮化物层和所述第一氮化物层，以及其中，选择性地去除所述第二氮化物层包括在第一气氛下以第一压力蚀刻所述第二氮化物层，所述第一压力低于包含硅原子和被包含在所述气体中的氯原子或溴原子的硅化合物的第一饱和蒸汽压，并且高于包含镓原子和被包含在所述气体中的氯原子或溴原子的镓化合物的第二饱和蒸汽压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人住友电气工业株式会社;国立大学法人东北大学，其通讯地址为：日本大阪府大阪市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。