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龙图腾网恭喜中国科学技术大学申请的专利一种低功耗大带宽高分辨率低相位噪声数控振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112953464B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110241559.3，技术领域涉及：H03K3/012；该发明授权一种低功耗大带宽高分辨率低相位噪声数控振荡器是由白雪飞;邵亚年设计研发完成，并于2021-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗大带宽高分辨率低相位噪声数控振荡器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低功耗大带宽高分辨率低相位噪声数控振荡器，包括：互补差分MOS管补偿电路、三级电容调谐电路、电容电感滤波电路和容性退化电路，粗调和中调电容阵列并联的连接在补偿NMOS管和PMOS管的漏极之间，容性退化电路连接在两个补偿NMOS管的源极之间，互补差分MOS管补偿电路提供负阻来补偿谐振腔的电阻，使谐振腔的振荡可以持续；三级电容调谐电路用来提供不同调谐精度下的变化电容，来实现频率的改变；所述电容电感滤波电路通过电容将热噪声导入地端、通过电感提供阻抗来抑制闪烁噪声的流动用来滤除电路的闪烁噪声；容性退化电路通过将调谐电容阵列接入补偿MOS管源极再按比例折算到漏极，实现更小的变化电容量，来实现更高的分辨率。

本发明授权一种低功耗大带宽高分辨率低相位噪声数控振荡器在权利要求书中公布了：1.一种低功耗大带宽高分辨率低相位噪声数控振荡器，其特征在于，包括：互补差分MOS管补偿电路、三级电容调谐电路、电容电感滤波电路和容性退化电路，其中粗调和中调电容阵列并联的连接在补偿NMOS管和PMOS管的漏极之间，容性退化电路连接在两个补偿NMOS管的源极之间，在NMOS管源极和地端之间、以及和PMOS管源极和电源之间，分别均连接有电容电感滤波电路，其中：所述的互补差分MOS管补偿电路提供负阻来补偿谐振腔的电阻，使谐振腔的振荡可以持续；所述三级电容调谐电路用来提供不同调谐精度下的变化电容，来实现频率的改变；所述电容电感滤波电路通过电容将热噪声导入地端、通过电感提供阻抗来抑制闪烁噪声的流动用来滤除电路的闪烁噪声；所述容性退化电路通过将调谐电容阵列接入补偿MOS管源极再按比例折算到漏极，实现更小的变化电容量，来实现更高的分辨率；所述互补差分MOS管补偿电路，包括交叉耦合连接的两个NMOS管，两个NMOS管的源极连在一起，第一NMOS管的栅极连接到第二NMOS管的漏极，第一NMOS管的漏极连接到第二NMOS管的栅极，构成交叉耦合结构；所述三级电容调谐电路，包括粗调、中等调谐、细调电容阵列，粗调、中等调谐电容阵列并联在补偿NMOS管和PMOS管的漏极，细调电容阵列并连在两个NMOS管源极之间，偏置电阻R1和R2串联在NMOS管源极，粗调、中调和细调控制字分别接在粗调、中调、细调电容阵列控制端。

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