恭喜中国科学院上海应用物理研究所戴志敏获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海应用物理研究所申请的专利电子束引出窗及包含其的电子束发生器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112863978B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110278015.4，技术领域涉及：H01J37/06；该发明授权电子束引出窗及包含其的电子束发生器是由戴志敏;何子锋;周大勇;杨永金;黄建鸣;王永其;吴新时;林俊设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子束引出窗及包含其的电子束发生器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电子束引出窗及包含其的电子束发生器，该电子束引出窗包括：薄膜；窗体，窗体的中部设置有窗口；至少一个第一格栅单元，第一格栅单元包括第一格栅槽；至少一个第二格栅单元，第二格栅单元包括第二格栅槽，第一格栅单元与第二格栅单元间隔设置，且均位于窗口上，第二格栅单元相对于第一格栅单元沿扫描方向被配置于窗口的远端。该电子束引出窗利用了近端第一格栅槽长度短的优点，便于薄膜上的热量快速传导至窗体，同时，窗口被第一格栅单元和第二格栅单元分割，使得第二格栅槽的长度变短，有利于第二格栅单元中部的热量传导至窗体的边缘，延长薄膜及电子束引出窗的使用寿命。
本发明授权电子束引出窗及包含其的电子束发生器在权利要求书中公布了：1.一种电子束引出窗，其包括薄膜，其特征在于，所述电子束引出窗还包括：窗体，所述窗体的中部设置有窗口；至少一个第一格栅单元，所述第一格栅单元包括第一格栅槽，所述第一格栅槽沿纵向方向延伸设置；至少一个第二格栅单元，所述第二格栅单元包括第二格栅槽，所述第二格栅槽沿横向方向延伸设置，所述第一格栅单元与所述第二格栅单元间隔设置，且均位于所述窗口上，所述第二格栅单元相对于所述第一格栅单元沿扫描方向被配置于所述窗口的远端；所述薄膜完全覆盖于所述窗口，所述薄膜能够被电子束穿过；所述薄膜靠近所述窗体的大气侧。
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