恭喜株式会社日立高新技术荒卷彻获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社日立高新技术申请的专利半导体装置制造系统以及半导体装置制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113994453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180002514.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体装置制造系统以及半导体装置制造方法是由荒卷彻;齐藤刚;米田健一郎;榎本祐治;堤贵志设计研发完成，并于2021-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置制造系统以及半导体装置制造方法在说明书摘要公布了：提供半导体制造装置系统以及半导体装置制造方法，用于在半导体器件的制造工序中减少带来坏影响的异物。半导体装置制造系统具备半导体制造装置和经由网络与所述半导体制造装置连接并执行异物减少处理平台，半导体装置制造系统中的所述异物减少处理具有如下步骤：使用由所述半导体制造装置进行了处理的样品来取得异物特性值；通过机器学习，基于所取得的所述异物特性值和相关数据来确定起因于异物产生的所述半导体制造装置的部件；基于所确定的所述部件来规定用于清洁所述半导体制造装置的清洁条件；以及使用所规定的所述清洁条件来清洁所述半导体制造装置，所述相关数据是预先取得的所述异物特性值与所述部件的相关数据。
本发明授权半导体装置制造系统以及半导体装置制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置制造系统，其特征在于，具备半导体制造装置和经由网络与所述半导体制造装置连接并执行异物减少处理的平台，所述异物减少处理具有如下步骤：使用由所述半导体制造装置进行了处理的样品来取得异物特性值；通过机器学习，基于所取得的所述异物特性值和相关数据来确定与异物源相关的所述半导体制造装置的部件；基于所确定的所述部件来规定用于清洁所述半导体制造装置的清洁条件；以及使用所规定的所述清洁条件来清洁所述半导体制造装置，所述相关数据是预先取得的所述异物特性值与所述部件的相关数据。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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