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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利SOT-MRAM存储单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113690366B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110945619.X，技术领域涉及：H10N52/80；该发明授权SOT-MRAM存储单元及其制备方法是由杨美音;罗军设计研发完成，并于2021-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本SOT-MRAM存储单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种SOT‑MRAM存储单元及其制备方法，该SOT‑MRAM存储单元包括：磁性隧道结，包括从下至上依次层叠的自由层、势垒层和参考层，自由层具有方向可变的垂直磁化，参考层具有方向固定的垂直磁化；位于磁性隧道结下方的自旋轨道耦合层，与自由层接触，自旋轨道耦合层用于产生自旋轨道矩，以使自由层磁化翻转；位于自旋轨道耦合层上方且环绕于磁性隧道结四周侧壁的铁磁层，铁磁层为面内水平磁化，磁化方向平行于自旋轨道耦合层中通过的写电流方向，以对磁性隧道结产生一个水平磁场。本发明能够在无外加磁场的条件下，利用自旋轨道矩实现自由层确定性的磁化翻转。

本发明授权SOT-MRAM存储单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SOT-MRAM存储单元的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上沉积形成自旋轨道耦合层；在所述自旋轨道耦合层上形成磁性隧道结，所述磁性隧道结包括从下至上依次层叠的自由层、势垒层和参考层，所述自由层具有方向可变的垂直磁化，所述参考层具有方向固定的垂直磁化；在所述自旋轨道耦合层表面以及所述磁性隧道结表面依次共形地沉积形成绝缘介质层、铁磁层、反铁磁层和保护层；利用各向异性刻蚀工艺对所述保护层、所述反铁磁层和所述铁磁层进行刻蚀，直至在所述绝缘介质层的四周侧壁形成从内向外依次包括铁磁层反铁磁层保护层的环状层叠结构，所述环状层叠结构的高度小于所述磁性隧道结的高度；在真空条件下进行磁场退火，使得所述铁磁层的磁化方向为水平方向且平行于所述自旋轨道耦合层中在写数据时通过的写电流方向。

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