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龙图腾网恭喜胡南申请的专利低剖面二维波束扫描阵列天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114039215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111321559.0，技术领域涉及：H01Q21/00；该发明授权低剖面二维波束扫描阵列天线是由胡南设计研发完成，并于2021-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本低剖面二维波束扫描阵列天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低剖面二维波束扫描阵列天线，涉及阵列天线技术领域。所述阵列天线包括位于下侧的谐振器天线ERA本体，所述天线本体包括部分反射表面PRS，所述部分反射表面PRS的上侧固定有底层全金属相位校正结构，所述底层全金属相位校正结构的上侧固定有中层全金属相位校正结构，所述中层全金属相位校正结构的上侧固定有顶层全金属相位校正结构，所述底层全金属相位校正结构与所述部分反射表面PRS之间的距离为λ04，所述全金属相位校正结构之间的距离为λ03。所述阵列具有天线结构简单，成本低，功率容量较大等优点，天线相位均匀性得到了显著改善。

本发明授权低剖面二维波束扫描阵列天线在权利要求书中公布了：1.一种低剖面二维波束扫描阵列天线，其特征在于：包括位于下侧的谐振器天线本体（1），所述谐振器天线本体包括部分反射表面PRS（2），所述部分反射表面PRS（2）的上侧固定有底层全金属相位校正结构（3），所述底层全金属相位校正结构（3）的上侧固定有中层全金属相位校正结构（4），所述中层全金属相位校正结构（4）的上侧固定有顶层全金属相位校正结构（5），所述底层全金属相位校正结构（3）与所述部分反射表面PRS（2）之间的距离为λ04，所述底层全金属相位校正结构（3）与所述中层全金属相位校正结构（4）之间的距离为λ03，所述中层全金属相位校正结构（4）与所述顶层全金属相位校正结构（5）之间的距离为λ03，所述λ0为所述谐振器天线本体工作频率下的自由空间波长；所述顶层全金属相位校正结构（5）包括若干个第一校正单元（7）、若干个第二校正单元（8）、若干个圆盘（9）以及连接线，所述顶层全金属相位校正结构（5）的外圈形成有一圈相互连接的第一校正单元（7），所述第一校正单元（7）包括位于中间的第一方形块（10）和与第一方形块（10）的四条边分别垂直连接的第一连接线（11），位于外圈的所述第一校正单元（7）的内侧形成有两圈相互连接第二校正单元（8），所述第一校正单元（7）与相邻的第二校正单元（8）相互连接，所述第二校正单元（8）包括位于中间的第二方形块（12）和与第二方形块（12）的四条边分别垂直连接的第二连接线（13），所述第一方形块（10）的面积大于所述第二方形块（12）的面积，所述第一方形块（10）与第一校正单元（7）之间通过第一连接线（11）连接，所述第一校正单元（7）与第二校正单元（8）之间通过第一连接线（11）以及第二连接线（13）相互连接，位于内圈的第二校正单元（8）的内侧形成有一圈圆盘（9），所述圆盘（9）与内圈的所述第二校正单元（8）之间通过连接线互联，所述圆盘（9）的内圈形成有呈十字交叉的连接线，且位于圆盘（9）内圈的连接线的端部具有自由端，使得所述顶层全金属相位校正结构（5）的圆心形成有空档，支撑用连接盘（14）位于所述第一校正单元（7）的外侧的顶层全金属相位校正结构（5）的四个角处，且所述支撑用连接盘（14）与所述第一校正单元（7）连接，所述支撑用连接盘（14）的中心形成有安装孔。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人胡南，其通讯地址为：100084 北京市海淀区农大南路1号硅谷亮城5号楼406室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。