恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司付博获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利分栅式闪存存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121972B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111428198.X，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权分栅式闪存存储器及其制造方法是由付博;曹启鹏;王卉;曹子贵设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本分栅式闪存存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种分栅式闪存存储器及其制造方法，通过对半导体衬底进行热处理，来形成至少覆盖栅极结构的侧壁的氧化保护层，通过所述热处理形成的氧化保护层具有较高的致密性，可以对栅极结构中的电子起到较好的阻挡作用，防止栅极结构中的电子流失。进一步的，氧化保护层与其侧壁上的栅极侧墙相配合，可以进一步增加对栅极结构中电子的阻挡，从而有效防止栅极结构中的电子流失，进而提高分栅式闪存存储器的数据保持能力和可靠性。此外，在对所述半导体衬底进行热处理时，还能够激活半导体衬底中的源漏区中的掺杂离子，故可以省去用于激活掺杂离子的退火工艺，节省工艺制程及工艺时间，提高制程效率。
本发明授权分栅式闪存存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种分栅式闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述分栅式闪存存储器的制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧暴露出部分所述半导体衬底，暴露的所述半导体衬底中形成有离子未激活的源漏区；对所述半导体衬底进行热处理，以形成至少覆盖所述栅极结构的侧壁的氧化保护层，并激活所述源漏区中的掺杂离子；形成栅极侧墙，所述栅极侧墙覆盖所述氧化保护层的侧壁。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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