恭喜福建省晋华集成电路有限公司孔果果获国家专利权
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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利三维存储器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678366B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210303407.6，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权三维存储器件及其制作方法是由孔果果;庄梦琦;周运帆;童宇诚;何世伟设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了三维存储器件及其制作方法，包括衬底以及存储堆叠结构。存储堆叠结构设置在衬底上，包括多个堆叠单元由下而上依序堆叠成阶梯状，其中，各堆叠单元具有阶梯斜率，任一设置于下方的堆叠单元的阶梯斜率的斜率大于任一设置于上方的堆叠单元的所述阶梯斜率。由此，可优化三维存储器件的结构完整性，进而提升其组件效能。
本发明授权三维存储器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器件，其特征在于，包括：衬底；以及存储堆叠结构，设置在所述衬底上，所述存储堆叠结构包括多个堆叠单元依序堆叠成阶梯状，其中，各所述堆叠单元具有阶梯斜率，任一设置于下方的所述堆叠单元的阶梯斜率的斜率绝对值小于任一设置于上方的所述堆叠单元的所述阶梯斜率的斜率绝对值，各所述堆叠单元还包括由下而上依序堆叠第一导体层、第一电介质层、第二导体层、以及第二电介质层，所述第一电介质层在垂直衬底的方向上部分重叠于所述第一导体层的侧壁，并且，所述第一电介质层的侧壁垂直所述衬底表面；所述第二导体层在所述衬底上的正投影全部落入所述第一导体层在所述衬底上的正投影的范围内；并且，设置于下方的任一所述堆叠单元的部分顶面可自设置于其上方的所述堆叠单元暴露出。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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