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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利具有高维持电压、低触发电压的电阻电容耦合硅控整流器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210685009.5，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权具有高维持电压、低触发电压的电阻电容耦合硅控整流器结构是由庚润;田志;姬峰设计研发完成，并于2022-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有高维持电压、低触发电压的电阻电容耦合硅控整流器结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有高维持电压、低触发电压的硅控整流器结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；N阱与P型衬底交界处设有第一浅沟槽隔离，N阱上设有第二浅沟槽隔离，从第一浅沟槽隔离至第二浅沟槽隔离间的N阱依次形成有间隔设置的第一N型离子注入层和第一P型离子注入层；第一N型离子注入层上设有第一连接结构，用于引出阳极；P型衬底上形成有横跨N阱与P型衬底的交界处的第二P型离子注入层，第二浅沟槽隔离至第二P型离子注入层间的N阱上形成有栅极。本发明通过改变RC的值可以调控触发电压；具有较高的维持电压，并且通过改变过渡区的宽度来调控维持电压；具有更高的闩锁抗性。

本发明授权具有高维持电压、低触发电压的电阻电容耦合硅控整流器结构在权利要求书中公布了：1.一种具有高维持电压、低触发电压的电阻电容耦合硅控整流器结构，其特征在于，包括：P型衬底，所述P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；所述N阱与所述P型衬底交界处设有第一浅沟槽隔离，所述N阱上设有第二浅沟槽隔离，从所述第一浅沟槽隔离至所述第二浅沟槽隔离间的所述N阱依次形成有间隔设置的第一N型离子注入层和第一P型离子注入层；所述第一N型离子注入层上设有第一连接结构，用于引出阳极；所述P型衬底上形成有横跨所述N阱与所述P型衬底的交界处的第二P型离子注入层，所述第二浅沟槽隔离至所述第二P型离子注入层间的所述N阱上形成有栅极；所述栅极与所述第二P型离子注入层上形成用于电性连接两者的第二连接结构；所述P阱与所述P型衬底交界处设有第五浅沟槽隔离，从所述第二P型离子注入层至所述第五浅沟槽隔离间的所述P阱,依次设有第三浅沟槽隔离、第二N型离子注入层、第四浅沟槽隔离、第三P型离子注入层；所述第二N型离子注入层和所述第三P型离子注入层上设有用于连接两者的第三连接结构，用于引出阴极；将阱电阻Rp和栅电容C组成RC电路嵌入到该结构中，所述阱电阻Rp和所述栅电容C的值由所述P阱的掺杂浓度和局部场氧化物的厚度决定；阳极的P型离子注入层处于浮接状态，所述栅极通过金属互联与横跨的P型离子注入层相连接，相当于产生一个所述阱电阻Rp。

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