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龙图腾网恭喜中国科学院空天信息创新研究院申请的专利一种芯片级三维电场传感器及其测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115184696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210808559.1，技术领域涉及：G01R29/14；该发明授权一种芯片级三维电场传感器及其测量方法是由彭春荣;邢学斌;任仁设计研发完成，并于2022-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片级三维电场传感器及其测量方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种芯片级三维电场传感器，包括：N对外感应电极、N个电场差分测量器件及信号调理电路，N为大于等于3的整数；其中，N对外感应电极中的每对外感应电极用于感应一个维度的外部电场信号；N个电场差分测量器件与N对外感应电极一一对应电连接，用于将外部电场信号进行差分处理，并输出检测信号；信号调理电路与N个电场差分测量器件实现电连接，用于将检测信号进行调理，输出三维电场信号。本公开还提供了一种三维电场测量方法。

本发明授权一种芯片级三维电场传感器及其测量方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片级三维电场传感器，其特征在于，包括：N对外感应电极（10）、N个电场差分测量器件（20）及信号调理电路（30），N为大于等于3的整数；其中，所述N对外感应电极（10）中的每对外感应电极用于感应一个维度的外部电场信号；所述N个电场差分测量器件（20）与所述N对外感应电极（10）一一对应电连接，用于将所述外部电场信号进行差分处理，并输出检测信号；所述信号调理电路（30）与所述N个电场差分测量器件（20）连接，用于将所述检测信号进行调理，输出三维电场信号；所述N个电场差分测量器件中的每个电场差分测量器件包括：电场敏感芯片（220），设置于壳体（210）中；封板盖板（230），位于所述壳体（210）及所述电场敏感芯片（220）上，用于将所述电场敏感芯片（220）封装于所述壳体（210）内；所述电场敏感芯片（220）用于完成芯片级电场信号的差分测量，包括：一组差分输入端（221、222），用于接收与其对应连接的一对外感应电极（10）获取的所述外部电场信号；电场差分芯片（223），用于将所述外部电场信号进行差分处理，并输出检测信号；检测信号输出端，用于将所述检测信号输出至与其对应连接的信号调理电路（30）；所述N个电场差分测量器件（20）呈同一平面或立体装配方式进行装配，其中，所述N个电场差分测量器件（20）呈同一平面装配方式进行装配时，所述N个电场差分测量器件（20）在呈同一平面上周期性并列分布；所述N个电场差分测量器件（20）呈立体装配方式进行装配时，所述N个电场差分测量器件（20）中的每个电场差分测量器件与其相邻的电场差分测量器件非共面设置。

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