恭喜电子科技大学巫江获国家专利权
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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211303364.8，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器是由巫江;唐星宇;郭大千;沈凯;李创;任翱博设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器，属于红外探测器技术领域，目的在于提供一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器，引入一种全新设计的空穴势垒结构，该空穴势垒降低了陷阱相关的隧穿，与吸收层之间的单级势垒Np结降低了SRH相关暗电流，和电子势垒组合形成互补势垒CBIRD结构，解决了现有技术中InAsInAsSbT2SL探测器暗电流高、响应度比探测率较低等问题。其包括衬底，衬底上表面从下至上依次设置有缓冲层、底部接触‑空穴势垒层、吸收层、电子势垒层、顶部接触层，底部接触‑空穴势垒层上表面设置底部接触电极，顶部接触层上表面设置有顶部接触电极。本发明适用于一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器。
本发明授权一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器在权利要求书中公布了：1.一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器，其特征在于，包括衬底1，所述衬底1上表面从下至上依次设置有缓冲层2、底部接触-空穴势垒层3、吸收层4、电子势垒层5、顶部接触层6，所述底部接触-空穴势垒层3上表面设置底部接触电极7，所述顶部接触层6上表面设置有顶部接触电极8，所述底部接触-空穴势垒层3为从上至下排列且呈100个周期循环的4MLsInAs1MLsInAs0.8Sb0.21MLsAlAs0.2Sb0.81MLsInAs0.8Sb0.2超晶格。
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