恭喜中国科学院物理研究所陈小龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院物理研究所申请的专利用于确定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116165339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211636555.6，技术领域涉及：G01N33/00；该发明授权用于确定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法是由陈小龙;盛达;王国宾;王文军;郭建刚;李辉设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于确定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于确定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法，包括如下步骤：1清洁碳化硅晶片表面；2使得达因液在清洁后的碳化硅晶片的两个表面上分别形成均匀的液体涂层；2根据达因液在碳化硅晶片表面上的以下润湿情况来判断硅面和碳面：如果液体涂层连续不间断，无收缩现象，则该表面为硅面；如果液体涂层断断续续并形成液滴，部分晶面显露，则该表面为碳面。本发明是一种快速、便捷、无损的确定SiC衬底片、抛光片、研磨片和切割片硅面和碳面的方法。
本发明授权用于确定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于确定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法，包括如下步骤：（1）清洁碳化硅晶片表面；（2）使得达因液在清洁后的碳化硅晶片的两个表面上分别形成均匀的液体涂层；（3）根据达因液在碳化硅晶片表面上的以下润湿情况来判断硅面和碳面：如果液体涂层连续不间断，无收缩现象，则该表面为硅面；如果液体涂层断断续续并形成液滴，部分晶面显露，则该表面为碳面；所述步骤（1）中的碳化硅晶片的晶体结构类型为4H、6H或15R；所述步骤（1）中的碳化硅晶片的掺杂类型为n型、p型或半绝缘型；所述达因液的达因值为36mNm～44mNm。
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