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龙图腾网恭喜中科芯集成电路有限公司申请的专利一种高压ESD静电版图结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116504778B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310477300.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种高压ESD静电版图结构是由李全;严正军设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压ESD静电版图结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高压ESD静电版图结构，ESD纵向版图结构包括埋层、在所述的埋层下层以及左右两边的衬底材料；所述埋层上包括有深N阱区，有深N阱区也包括一个P阱注入区和一个N阱注入区；P阱注入区中设有N管源端、P阱接触，同时两者之间有一层浅槽隔离；N管源端一侧设有N管漏端，且在N管漏端和N管源端上方设置有多晶栅Ⅰ。同样在N阱注入区内设有P管源端、N阱接触，同时两者之间有一层浅槽隔离，在N阱接触和P管源端上方设置有多晶栅Ⅱ。该MOS版图结构采用多栅插指结构，源极和漏极分别在栅极两端，相互重叠，节省面积，源极和漏极设置一定宽度比例，并设置接触孔阵列。

本发明授权一种高压ESD静电版图结构在权利要求书中公布了：1.一种高压ESD静电版图结构，其特征在于，ESD纵向版图结构包括埋层（401）、在所述的埋层（401）下层以及左右两边的衬底材料；同时其中MOS版图结构采用多栅插指结构；所述埋层（401）上包括有深N阱区（402），深N阱区（402）也包括一个P阱注入区（403）和一个N阱注入区（404）、及N型注入区（405），N阱注入区（404）作为N型注入区（405）的阱接触使用；P阱注入区（403）中设有N管源端（408）、P阱接触（409），同时两者之间有一层浅槽隔离；N管源端（408）一侧设有N管漏端（407），且在N管漏端（407）和N管源端（408）上方设置有多晶栅Ⅰ（406）；同样在N阱注入区（404）内设有P管源端（412）、N阱接触（414），同时两者之间有一层浅槽隔离，在N阱接触（414）和P管源端（412）上方设置有多晶栅Ⅱ（411）。

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