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龙图腾网恭喜内蒙古民族大学申请的专利一种壳聚糖修饰的石墨烯场效应晶体管生物传感器及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116953052B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310676368.9，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权一种壳聚糖修饰的石墨烯场效应晶体管生物传感器及其应用是由刘雨双;陈福荣;张颖;王明轩;海文峰;刘景海设计研发完成，并于2023-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种壳聚糖修饰的石墨烯场效应晶体管生物传感器及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种壳聚糖修饰的石墨烯场效应晶体管生物传感器及其应用，本发明以源极和漏极修饰的二氧化硅二氧化硅（SiSiO2）基底为衬底，将石墨烯作为传感通道转移到衬底表面以形成GFET，将CTS作为链接剂，通过静电吸附在传感通道表面，并将抗降钙素原抗体（anti‑PCT）作为探针通过戊二醛交联在CTS表面进行修饰，以特异性捕获PCT；其可通过PCT与CTS‑GFET通道表面的PCT抗体特异性结合后引起CTS‑GFET狄拉克点电压偏移的方式来对进行检测，检测灵敏度高，特异选择性，其对降钙素原的检测灵敏度能够达到0.82agmL，比传统的GFET的检测限提高了3倍。

本发明授权一种壳聚糖修饰的石墨烯场效应晶体管生物传感器及其应用在权利要求书中公布了：1.一种壳聚糖修饰的石墨烯场效应晶体管生物传感器的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：S1：石墨烯片旋涂聚甲基丙烯酸甲酯PMMA后切割成石墨烯PMMA小片；S2：将石墨烯PMMA小片置于过硫酸铵溶液中，以去除表面铜衬底；待石墨烯PMMA小片底部的铜氧化掉后，将其转移至去离子水中以去除残留在石墨烯表面上的过硫酸铵分子；S3：将石墨烯PMMA小片转移并吸附至二氧化硅硅衬底上，并进行干燥处理；S4：将干燥好的样品置于丙酮溶液中，以去除石墨烯表面的PMMA；然后将样品再置于异丙醇溶液中浸泡后，并晾干，得到石墨烯SiO2Si样品；S5：将晾干后的石墨烯SiO2Si样品置于氮气氢气混合气中加热，以进一步清除石墨烯表面的PMMA；S6：加热结束，降至室温状态后，在石墨烯两端修饰上银电极，干燥后在石墨烯周围修饰绝缘胶作为门控装置，得到石墨烯场效应晶体管生物传感器，干燥备用；S7：将壳聚糖修饰至石墨烯场效应晶体管生物传感器的石墨烯表面上，并用PBS溶液清洗；S8：将戊二醛对石墨烯上的壳聚糖进行修饰，并用PBS溶液清洗后，进行电学性能测试；S9：将探针通过戊二醛修饰至壳聚糖上，并用PBS溶液清洗后，采用牛血清蛋白进行修饰封闭，即可制备得到壳聚糖修饰的石墨烯场效应晶体管生物传感器；所述的探针为抗降钙素原抗体。

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