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龙图腾网恭喜巴斯夫杉杉电池材料有限公司申请的专利一种高球形度单晶正极材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117038962B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311212982.6，技术领域涉及：H01M4/525；该发明授权一种高球形度单晶正极材料及其制备方法是由邓多;邢婷;潘迪;罗桂;谭欣欣设计研发完成，并于2023-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高球形度单晶正极材料及其制备方法在说明书摘要公布了：一种高球形度单晶正极材料，其化学式为LiaNi1‑x‑y‑z‑vCoxMyAzBvO2‑w，M为Mn和或Al，A的离子半径或离子基团半径大于85pm，B的离子半径或离子基团半径不大于70pm，A与B的离子半径或离子基团半径差值不低于45pm。其制备方法是：将正极材料前驱体、锂盐、含A化合物和含B化合物混合均匀，再进行两段高温烧结，烧结结束后将烧结料破碎、过筛，得到高球形度单晶正极材料。利用A促进单晶生长和B抑制单晶生长的原理，调节单晶颗粒不同方向的生长速率，使得各个方向的生长速率趋向均匀，避免颗粒在某些特定方向无序过度生长，减少团聚，从而可保证单晶正极材料球形度高、圆润、分散性高。

本发明授权一种高球形度单晶正极材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高球形度单晶正极材料，其特征在于，所述单晶正极材料的化学式为LiaNi1-x-y-z-vCoxMyAzBvO2-w，其中，0.98≤a≤1.12，0≤x≤0.5，0≤y≤0.5，0＜z≤0.01，0＜v≤0.01，0.5≤1-x-y-z-v＜1，0≤w≤0.1；M元素选自Mn和Al中的一种或两种，A元素的离子半径或者离子基团半径大于85pm，B元素的离子半径或者离子基团半径不大于70pm，且A元素与B元素的离子半径或离子基团半径差值不低于45pm；所述单晶正极材料的球形度不低于0.85；A元素选自Ba、Bi、Ca、Ce、Cs、K、La、Rb、Y、F、Cl、B中的一种或多种；B元素选自Al、Be、Mg、Mo、Nb、Ta、V、W、Sb中的一种或多种；通过对正极材料进行SEM测试，对其中的每个单晶颗粒的面积进行统计，得到等效圆直径d1；统计至少100个颗粒的费雷特直径，得到d2；计算每个颗粒的球形度得到σn=，统计多个颗粒的球形度值并取平均值得到单晶正极材料的球形度σ，球形度σ=；所述单晶正极材料是通过以下制备方法制备获得的：将正极材料前驱体、锂盐、含A化合物和含B化合物混合均匀，然后将所得混合物进行两段高温烧结，烧结结束后将烧结料破碎、过筛，得到所述高球形度单晶正极材料，其中，第一段高温烧结的温度为650-1000℃，烧结保温时间为8~12h；第二段高温烧结的温度为670~1050℃，保温时间为1~4h，第二段高温烧结的温度比第一段高温烧结的温度高20~50℃。

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