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龙图腾网恭喜同济大学申请的专利一种基于先进工艺封装结构下的芯片快速热分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117172071B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311243465.5，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种基于先进工艺封装结构下的芯片快速热分析方法是由祁佑民;张蝶;王西鼎;俞经淘;贺青设计研发完成，并于2023-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于先进工艺封装结构下的芯片快速热分析方法在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路热分析技术，提出了一种基于先进工艺封装结构下的芯片快速热分析方法，包括步骤：步骤1：先离散集成电路封装结构，再构建热分析系统；步骤2：使用LR‑ADI进行分解计算；步骤3：进行SVD分解；步骤4：计算状态空间转移矩阵；步骤5：截断处理；步骤6：构建降阶热分析模型；步骤7：求解微分方程组；步骤8：计算芯片核心温度。本发明使用模型降阶方法进行热仿真的方式，在保证一定精度下，有效地提升运行效率，达到温度预测、仿真闭环的目的。

本发明授权一种基于先进工艺封装结构下的芯片快速热分析方法在权利要求书中公布了：1.一种基于先进工艺封装结构下的芯片快速热分析方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：先离散集成电路封装结构，再构建热分析系统；步骤2：使用LR-ADI进行分解计算；步骤3：进行SVD分解；步骤4：计算状态空间转移矩阵；步骤5：截断处理；步骤6：构建降阶热分析模型；步骤7：求解微分方程组；步骤8：计算芯片核心温度；所述步骤1包括：步骤1.1：利用有限体积法FVM对集成电路的封装结构进行空间离散，得下式： 其中，G∈Rn×n是热导矩阵，对称正定，其中包括与边界的等效热导，x∈Rn表示全场结点的温度，C∈Rn×n是由对地热容组成的矩阵，ut∈Rp是当前热源组成的向量，E∈Rn×p是输入热源与结点温度的关联矩阵；n表示系统状态空间的维数，即为芯片经过空间离散之后系统的总结点个数；m表示输出向量的维数，即为hotspot的个数；p表示输入向量的维数，即为当前热源结点的个数；对于热点hotspot，通过如下式进行转换：yt＝Lxt其中，y∈Rm由hotspot的温度组成，L∈Rm×n为状态与hotspot温度的关联矩阵；步骤1.2将其转换为“线性时无关”系统方程，从而构建热分析系统，如下式所示： 其中，A＝-C-1G，B＝C-1E；所述步骤2：采用平衡截断法，具体分析观测Gramian矩阵Q与到达Gramian矩阵P，首先进行状态空间的转换投影，其求解等价于求解Lyapunov矩阵方程，如下：AP+PAT+BBT＝0,ATQ+QA+LTL＝0进一步使用LR-ADI方法求解Lyapunov矩阵方程与低秩分解,即转为求解P≈SST与Q≈RRT；所述步骤3：计算特征值分解SVD,有RTS＝U∑VT，其中Σ＝diagσ1,σ2,…,σn，σi为Hankel特征值,此为平衡截断法中误差估计的重要数值；所述步骤4：状态空间转移矩阵通过转移矩阵，得新系统的观测与到达矩阵进行平衡转换：所述步骤5：根据误差进行截断处理，即将不便观测到的与不便控制的状态去除掉,得投影矩阵VBT与WBT； 其中，Ir表示r阶的单位矩阵；所述步骤6：降阶系统ROM,和即，降阶系统表示为： 其中，所述步骤7：对于求解微分方程组选择使用数值解法中的后向欧拉法进行求解，有 其中，Δt表示时间步长；对于功耗密度而言，通过时间轴上子域时间步的合适划分，将其变化限制在两种情况内，包括ut在区间[t0,t0+Δt]上保持不变与ut在区间[t0,t0+Δt上保持不变；对于这两种情况而言，其积分结果一致，故上式化简如下： 离散迭代格式如下： 求解如上线性方程组，得对应时刻的所述步骤8：芯片核心处温度为

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