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龙图腾网恭喜无锡芯光互连技术研究院有限公司申请的专利高效耦合的硅基异质集成半导体光放大器结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117913665B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311461857.9，技术领域涉及：H01S5/50；该发明授权高效耦合的硅基异质集成半导体光放大器结构及制备方法是由蒋成涛;郝沁汾;段焕利设计研发完成，并于2023-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本高效耦合的硅基异质集成半导体光放大器结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了高效耦合的硅基异质集成半导体光放大器结构及制备方法，其中，器件结构包括：衬底层，包括硅衬底层和埋氧SIO2层；硅波导，位于衬底层之上，包括第一硅波导部分和第二硅波导部分，沿预设方向排布，第一硅波导部分和第二硅波导部分之间间隔预设距离；半导体光放大器，底部设置有预设高度的卡槽结构，以通过卡槽结构两侧的槽壁使半导体光放大器卡扣在所述第一波导部分、第二波导部分及二者之间的间隙的上方；卡槽的宽度不低于硅波导的宽度，卡槽的高度不低于硅波导的厚度；覆盖层，位于半导体光放大器之上，用于集成SOA和硅波导，并保护半导体光放大器免受大气中水、氧的侵袭。本方案，集成工艺较为简单，且不存在浪费SOA外延材料的现象。

本发明授权高效耦合的硅基异质集成半导体光放大器结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高效耦合的硅基异质集成半导体光放大器结构，其特征在于，包括：衬底层，包括硅衬底层和位于硅衬底层之上的埋氧SIO2层；硅波导，位于所述衬底层之上，所述硅波导包括第一硅波导部分和第二硅波导部分，第一硅波导部分和第二硅波导部分沿预设方向排布，第一硅波导部分和第二硅波导部分之间间隔预设距离；半导体光放大器，底部的基底在长度方向上设置有预设高度的卡槽结构，以通过所述卡槽结构两侧的槽壁使半导体光放大器卡扣在所述第一硅波导部分、第二硅波导部分及二者之间的间隙的上方；所述卡槽的宽度不低于所述硅波导的宽度，所述卡槽的高度不低于所述硅波导的厚度；所述长度方向为硅波导中光信号传播的方向；覆盖层，位于所述半导体光放大器之上，用于集成SOA与硅波导，以及保护半导体光放大器免受大气中水、氧的侵袭；所述第一硅波导部分与第二硅波导部分之间的间距为4-6μm。

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