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龙图腾网恭喜浙江旺荣半导体有限公司申请的专利电力半导体元件及其加工装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117594646B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311526090.3，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权电力半导体元件及其加工装置是由郑镇荣;高志亚;柳和廷;李宗宪;金东植;石松礼设计研发完成，并于2023-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本电力半导体元件及其加工装置在说明书摘要公布了：本说明书实施例提供一种电力半导体元件及其加工装置，其中所述电力半导体元件包括：形成场截止层的第一半导体层、第二半导体层形成于所述第一半导体层上、电荷蓄积层形成于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，且掺杂浓度高于所述第一半导体层和第一栅极和第二栅极；第一沟槽部及第二沟槽部贯穿所述第二半导体层，延伸至第一半导体层，且相互间隔一定距离；发射极形成于所述第二半导体层上方；发射层形成于所述第一沟槽部与所述第二沟槽部之间，且与所述第一沟槽部和所述第二沟槽部接触；能够通过限制短路电路最大电流容量的结构，加强电力半导体元件的健全性，防止发生短路时电力半导体元件在保护电路运行前被破坏，并有短路电流流动。

本发明授权电力半导体元件及其加工装置在权利要求书中公布了：1.一种电力半导体元件，其特征在于，包括：形成场截止层111的第一半导体层110、第二半导体层120形成于所述第一半导体层110上、电荷蓄积层130形成于所述第一半导体层110和所述第二半导体层120之间，所述电荷蓄积层130的掺杂浓度高于所述第一半导体层110的掺杂浓度；第一沟槽部140及第二沟槽部140a贯穿所述第二半导体层120，延伸至第一半导体层110，且相互间隔一定距离；发射极150形成于所述第二半导体层120上方；第一发射层160和第二发射层160a形成于所述第一沟槽部140与所述第二沟槽部140a之间，且与所述第一沟槽部140和所述第二沟槽部140a接触；第一势垒层170及第二势垒层170a平行设于所述第一沟槽部140和所述第二沟槽部140a的下方，相互间隔一定距离，且与所述第一沟槽部140和所述第二沟槽部140a垂直相交，阻碍电子从所述第一发射层160和第二发射层160a向集电极180流动；集电极180与形成于所述第一半导体层110下方的集电层181相连；所述第一发射层160和所述第二发射层160a分别形成于第一势垒层170和第二势垒层170a隔开的空间的正上方；根据第一发射层160和第二发射层160a长度方向的尺寸和第一势垒层170和第二势垒层170a之间的间隔距离调节最大电流量的特征。

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