恭喜无锡旷通半导体有限公司廖巍获国家专利权
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龙图腾网恭喜无锡旷通半导体有限公司申请的专利多级沟槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222655651U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323446426.3，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型多级沟槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件是由廖巍;华路佳;吕春设计研发完成，并于2023-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本多级沟槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种多级沟槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件，包括，衬底，所述衬底上制备硅外延层，所述硅外延层的表面推进有P型体区和有源区N型离子层，所述有源区N型离子层的深度大于P型体区；有源区沟槽，所述有源区沟槽开设于硅外延层上，且深度介于P型体区和有源区N型离子层之间；一级沟槽，所述一级沟槽开设于硅外延层上；二级沟槽，所述二级沟槽开设于硅外延层上，所述二级沟槽沿所述一级沟槽的侧壁开设，且所述二级沟槽的宽度大于一级沟槽、深度小于一级沟槽。本申请使用多次挖槽刻蚀技术实现多层级沟槽，在沟槽底部实现深注入的半包屏蔽隔离的离子注入层，减少芯片面积的同时实现优良的导通电阻与通流能力。
本实用新型多级沟槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种多级沟槽半掩埋屏蔽SGTMOSFET器件，其特征在于：包括，衬底，所述衬底上制备硅外延层，所述硅外延层的表面推进有P型体区和有源区N型离子层，所述有源区N型离子层的深度大于P型体区；有源区沟槽，所述有源区沟槽开设于硅外延层上，且深度介于P型体区和有源区N型离子层之间；一级沟槽，所述一级沟槽开设于硅外延层上；二级沟槽，所述二级沟槽开设于硅外延层上，所述二级沟槽沿所述一级沟槽的侧壁开设，且所述二级沟槽的宽度大于一级沟槽、深度小于一级沟槽。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡旷通半导体有限公司，其通讯地址为：214142 江苏省无锡市新吴区新安街道清源路20号立业楼C521；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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