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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117832173B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311740316.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件是由吴恒;王润声;黎明;卢浩然;孙嘉诚;黄如设计研发完成，并于2023-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一形成有鳍状结构的衬底；其中，鳍状结构包括在第一方向上排布的器件区和场区；去除鳍状结构中位于场区的第一部分，保留场区的第二部分；基于鳍状结构的上部，形成第一半导体结构，第一半导体结构包括第一源漏结构、第一源漏金属和第一层间介质层；倒片并去除衬底，以暴露鳍状结构的下部；去除场区的第二部分，以暴露第一层间介质层；基于鳍状结构的下部，形成第二半导体结构，第二半导体结构包括第二源漏结构、第二源漏金属和第二层间介质层；第一层间介质层和第二层间介质层中形成有互连通孔结构；互连通孔结构与第一源漏金属、第二源漏金属连接。

本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一形成有鳍状结构的衬底；其中，所述鳍状结构包括在第一方向上排布的器件区和场区；所述第一方向与所述鳍状结构的延伸方向相同；去除所述鳍状结构中位于所述场区的第一部分，保留所述场区的第二部分；其中，所述第一部分相对于所述第二部分远离所述衬底；基于所述鳍状结构的上部，形成第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一源漏结构、第一源漏金属和第一层间介质层；其中，所述第一源漏结构位于所述器件区，所述第一层间介质层位于所述场区的所述第二部分之上；倒片并去除所述衬底，以暴露所述鳍状结构的下部；去除所述场区的第二部分，以暴露所述第一层间介质层；基于所述鳍状结构的下部，形成第二半导体结构，所述第二半导体结构包括第二源漏结构、第二源漏金属和第二层间介质层；其中，所述第二源漏结构位于所述器件区，所述第二层间介质层位于所述场区的所述第一层间介质层之上；所述第一层间介质层和所述第二层间介质层中形成有互连通孔结构；所述互连通孔结构与所述第一源漏金属、所述第二源漏金属连接。

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