买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117878145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410084715.3，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法是由肖阳;尹立航;洪亦芳;邢娟;邓旭光;蔡勇设计研发完成，并于2024-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法。射频器件包括外延结构以及与所述外延结构匹配的源极、漏极、支撑层和栅极，所述栅极沿第二方向设置在所述源极、所述漏极之间，所述支撑层沿第一方向层叠设置在所述外延结构上，所述栅极包括栅帽和栅根，所述栅帽沿所述第一方向层叠设置在所述支撑层上，所述栅根设置在所述外延结构上且沿第二方向设置在所述支撑层的一侧，所述栅根还与所述栅帽连接并形成Γ型结构，所述第一方向和所述第二方向垂直。本发明降低了栅结构制备对设备的要求，通过沉积‑刻蚀制备极短栅极，完全不需要电子束光刻技术，国产设备即可满足生产需求。

本发明授权射频器件、纳米栅极的制备方法及射频器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种射频器件，包括外延结构以及与所述外延结构匹配的源极、漏极和栅极，所述栅极沿第二方向设置在所述源极、所述漏极之间，其特征在于，还包括：支撑层，所述支撑层沿第一方向层叠设置在所述外延结构上，所述栅极包括栅帽和栅根，所述栅帽沿所述第一方向层叠设置在所述支撑层上，在所述第二方向上，所述栅帽与所述支撑层的宽度相同，所述栅根设置在所述外延结构上且沿第二方向设置在所述支撑层的一侧，所述栅根还与所述栅帽连接并形成Г型结构，所述栅帽的材质包括导电的无机非金属材料、金属材料、有机材料中的至少一者，所述支撑层是由绝缘的无机非金属材料、有机材料中的至少一者形成的单层结构层或多层结构层，所述第一方向和所述第二方向垂直；所述栅极的制备方法包括：在具有所述外延结构的晶圆的表面形成支撑层，并在所述支撑层上形成栅帽；在所述晶圆的表面形成第二掩膜，且使所述支撑层、所述栅帽整体被所述第二掩膜覆盖，除去所述第二掩膜的一部分，形成图形化的第二掩膜，至少使所述栅帽的第一侧壁、所述支撑层的第二侧壁露出，所述第一侧壁和所述第二侧壁位于同一侧；在所述第二掩膜的表面以及所述栅帽的第一侧壁、所述支撑层的第二侧壁形成栅根材料，除去除位于所述栅帽的第一侧壁、所述支撑层的第二侧壁之外的栅根材料，余留的栅根材料形成栅根，所述栅根与所述栅帽电连接，并形成栅极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。