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恭喜苏州领慧立芯科技有限公司李雪民获国家专利权

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龙图腾网恭喜苏州领慧立芯科技有限公司申请的专利一种快速启动的电流产生电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117930932B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410085784.6,技术领域涉及:G05F1/567;该发明授权一种快速启动的电流产生电路是由李雪民;王汉卿;汪荔设计研发完成,并于2024-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

一种快速启动的电流产生电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种快速启动的电流产生电路。该电路包括:快速启动电路,包括多个MOS管,通过控制信号pdb控制多个MOS管的通断,进而控制快速启动电路的开启关闭;电流产生电路,包括正温度系数电流模块、负温度系数电流模块和恒定温度系数电流模块。本发明通过控制信号pdb控制快速启动电路开启关闭进而控制电流产生电路的开启关闭,在快速启动电路开启时,节点Nb从高电平下降,瞬间产生大电流使节点Na的电压快速降低,实现快速启动电流产生电路,电流产生电路启动后,快速启动电路快速关闭,缩短了快速启动电路从开启到关闭的时间间隔,降低了控制信号pdb的占空比,进而降低了快速启动电路的功耗。

本发明授权一种快速启动的电流产生电路在权利要求书中公布了:1.一种快速启动的电流产生电路,其特征在于,包括:快速启动电路,包括多个MOS管,通过控制信号pdb控制多个所述MOS管的通断,进而控制所述快速启动电路的开启关闭;在所述快速启动电路开启时,节点Nb从高电平下降,瞬间产生大电流使节点Na的电压快速降低,以快速启动电流产生电路;电流产生电路启动后,拉高节点Nc的电压,使节点Na的电压拉高,断开快速启动电路与电流产生电路的连接;电流产生电路,包括正温度系数电流模块、负温度系数电流模块和恒定温度系数电流模块,输出端IOUT1用于输出正温度系数电流,输出端IOUT2用于输出恒定温度系数电流;通过控制信号pdb、控制信号pd和所述快速启动电路控制所述输出端IOUT1和所述输出端IOUT2的电流输出;所述快速启动电路包括:NMOS管M0~M3、PMOS管M4~M6、电容C1和电阻R0;NMOS管M0的栅极与NMOS管M1的栅极、电容C1的第一端电连接,并与电阻R0的第一端电连接,连接点为节点Nb,NMOS管M0的源极与NMOS管M1的源极接地,电容C1的第二端接地;NMOS管M2的栅极与NMOS管M3的栅极电连接,并接入控制信号pdb,NMOS管M2的源极与NMOS管M0的漏极电连接,NMOS管M3的源极与NMOS管M1的漏极电连接,NMOS管M3的漏极与电阻R0的第一端电连接,电阻R0的第二端与VDD电连接;PMOS管M4的栅极接控制信号pdb,PMOS管M4的源极和PMOS管M5的源极分别与VDD电连接,PMOS管M4的漏极与PMOS管M5的漏极电连接,并与PMOS管M6的栅极和NMOS管M2的漏极电连接,连接点为节点Na,PMOS管M6的源极与VDD电连接;所述正温度系数电流模块包括:PMOS管M7~M11、NMOS管M12~M13、NMOS管M15、电阻R1和三极管Q1~Q2;PMOS管M7的漏极与PMOS管M5的栅极电连接,并与PMOS管M7的栅极电连接,PMOS管M7的栅极与PMOS管M8的漏极电连接,并与PMOS管M9的栅极、PMOS管M10的栅极和PMOS管M11的栅极电连接,PMOS管M7的源极、PMOS管M8的源极、PMOS管M9的源极、PMOS管M10的源极、PMOS管M11的源极分别与VDD电连接,PMOS管M8的栅极接控制信号pdb,PMOS管M10的漏极与输出端IOUT1电连接;NMOS管M12的漏极与PMOS管M7的漏极电连接,NMOS管M12的栅极与NMOS管M13的栅极、NMOS管M14的栅极电连接,PMOS管M6的漏极与NMOS管M12的栅极电连接,并与NMOS管M13的漏极和PMOS管M9的漏极电连接,连接点为节点Nc,NMOS管M12的源极与电阻R1的第一端电连接,电阻R1的第二端与三极管Q1的发射极电连接,三极管Q1的集电极和基极接地,NMOS管M13的源极与三极管Q2的发射极电连接,三极管Q2的集电极和基极接地,NMOS管M15的栅极接控制信号pd,NMOS管M15的源极接地;所述负温度系数电流模块包括:PMOS管M16~M19、NMOS管M14和电阻R2;NMOS管M14的源极与电阻R2的第一端电连接,NMOS管M14的栅极与NMOS管M15的漏极电连接,电阻R2的第二端接地,PMOS管M16的漏极与PMOS管M16的栅极、NMOS管M14的漏极电连接,PMOS管M16的栅极与PMOS管M17的漏极、PMOS管M18的栅极电连接,PMOS管M18的漏极与PMOS管M19的漏极、PMOS管M11的漏极、NMOS管M20的漏极电连接,PMOS管M19的栅极接控制信号pdb,PMOS管M16的源极、PMOS管M17的源极、PMOS管M18的源极和PMOS管M19的源极分别与VDD电连接;所述恒定温度系数电流模块包括:NMOS管M20~M22;NMOS管M20的漏极与NMOS管M21的栅极、NMOS管M22的栅极电连接,NMOS管M20的栅极接控制信号pdb,NMOS管M20的源极与NMOS管M21的漏极电连接,NMOS管M22的漏极与输出端IOUT2电连接,NMOS管M21的源极和NMOS管M22的源极接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人苏州领慧立芯科技有限公司,其通讯地址为:215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道88号人工智能产业园E4-045单元;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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