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龙图腾网恭喜海信家电集团股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118116953B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410141677.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由杨晶杰;陈道坤;储金星;刘恒;张永旺设计研发完成，并于2024-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：基体；漂移层；第一沟槽，多个第一沟槽包括主沟槽和间隔沟槽，间隔沟槽包括第一子沟槽和第二子沟槽；第二沟槽，第二沟槽在第一方向间隔设置于第一子沟槽和第二子沟槽之间，多个第二沟槽第二方向的两侧分别与主沟槽间隔设置；回形沟槽，回形沟槽环绕设置于多个第二沟槽的外周且一侧与多个第二沟槽间隔设置，回形沟槽另一侧与多个间隔沟槽和多个主沟槽均相互间隔，回形沟槽为至少两个，至少两个回形沟槽在第一方向上和第二方向上均相互间隔。由此，至少两个回形沟槽可以分隔开第一沟槽所对应的区域和第二沟槽所对应的区域，避免两个区域在注入制程时的相互干扰，从而保证两个区域各自的性能。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：基体10，所述基体10具有第一主面17及与第一主面17相反侧的第二主面18；第一导电类型的漂移层11，所述漂移层11设于第一主面17和第二主面18之间；第一沟槽20，所述第一沟槽20的深度从所述第一主面17朝向所述第二主面18延伸至所述漂移层11中，所述第一沟槽20的长度在第一方向上设置，所述第一沟槽20为多个，多个所述第一沟槽20在第二方向上间隔设置，多个所述第一沟槽20包括主沟槽21和间隔沟槽22，所述间隔沟槽22为多个且包括在第一方向间隔设置的第一子沟槽221和第二子沟槽222，所述主沟槽21为多个，多个所述主沟槽21分别间隔设置于多个所述间隔沟槽22第二方向的两侧；第二沟槽30，所述第二沟槽30的深度从所述第一主面17朝向所述第二主面18延伸至所述漂移层11中，所述第二沟槽30的长度在第一方向上延伸，所述第二沟槽30为多个，所述第二沟槽30在第一方向间隔设置于所述第一子沟槽221和所述第二子沟槽222之间，多个所述第二沟槽30第二方向的两侧分别与所述主沟槽21间隔设置；回形沟槽40，所述回形沟槽40的深度从所述第一主面17朝向所述第二主面18延伸至所述漂移层11中，所述回形沟槽40环绕设置于多个所述第二沟槽30的外周且一侧与多个所述第二沟槽30间隔设置，所述回形沟槽40另一侧与多个所述间隔沟槽22和多个所述主沟槽21均相互间隔，所述回形沟槽40为至少两个，至少两个回形沟槽40在第一方向上和第二方向上均相互间隔。

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