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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109786320B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811360493.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权制造半导体装置的方法是由温伟志;林仲德;蔡瀚霆设计研发完成，并于2018-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体装置的方法包括形成具有源极区及漏极区的晶体管。在源极区漏极区上形成以下各者：第一通孔；第一金属层，在所述第一通孔上沿着第一方向延伸；第二通孔，在所述第一金属层上与所述第一通孔交叠；以及第二金属层，在所述第二通孔上沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸；且在漏极区源极区上形成以下各者：第三通孔；第三金属层，位于所述第三通孔上；第四通孔，在所述第三金属层之上与所述第三通孔交叠；以及受控装置，在所述第三金属层上处于与所述第二金属层相同的高度层级。

本发明授权制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成晶体管，所述晶体管具有源极区及漏极区；在所述源极区：在所述源极区之上形成第一通孔；在所述第一通孔上形成第一金属层，所述第一金属层沿着第一方向延伸；在所述第一金属层之上形成第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔交叠；以及在所述第二通孔上形成第二金属层，所述第二金属层沿着与所述第一方向不同的第二方向延伸，以及在所述漏极区：在所述漏极区之上形成第三通孔，所述第三通孔处于与所述第一通孔相同的高度层级；在所述第三通孔上形成第三金属层；在所述第三金属层之上形成第四通孔，所述第四通孔与所述第三通孔交叠；以及在所述第四通孔上形成受控装置，所述受控装置处于与所述第二金属层相同的高度层级并由所述晶体管控制。

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