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龙图腾网恭喜上海维安电子股份有限公司申请的专利一种高效率电流检测和限流功能的保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109787207B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910173551.0，技术领域涉及：H02H9/02；该发明授权一种高效率电流检测和限流功能的保护电路是由姚和平;支知渊;宋苗;闫苗苗设计研发完成，并于2019-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高效率电流检测和限流功能的保护电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高效率电流检测和限流功能的保护电路，所述保护电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第一运算放大器。基准电流IREF通过第一NMOS管和第二NMOS管传输电流，作为整个模块的偏置电流。从第五PMOS管的漏端向外界负载提供电流。本发明可以在芯片输出处于重载或者短路情况下，通过电流检测电路和限流反馈调节环路，实现恒定电流输出，从而保护电路免受大功率损坏。

本发明授权一种高效率电流检测和限流功能的保护电路在权利要求书中公布了：1.一种实现电流检测和限流功能的保护电路，其特征在于,所述的保护电路包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一电阻R1、第二电阻RL、第一电容C1、第一运算放大器EA1；其中，第一NMOS管MN1的漏极连接基准电流IREF、第一NMOS管MN1栅极和第三NMOS管MN3栅极；第一NMOS管MN1的源极连接第二NMOS管MN2的漏极和栅极、第四NMOS管MN4栅极、第六NMOS管MN6栅极和第一电容C1的正相端；第一NMOS管MN1的衬底接地GND；第二NMOS管MN2源极和衬底接地；第一电容C1负相端接地；第三NMOS管MN3漏极连接第一PMOS管MP1的栅极和漏极，并与第二PMOS管MP2的栅极连接；第三NMOS管MN3源极与第四NMOS管MN4漏极连接；第三NMOS管MN3衬底、第四NMOS管MN4源极和衬底均接地；第五NMOS管MN5栅极连接第七NMOS管MN7的栅极和漏极、第六PMOS管MP6的漏极；第五NMOS管MN5漏极连接第二PMOS管MP2漏极和第三PMOS管MP3的栅极；第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6和第七NMOS管MN7的源极和衬底均接地；第六NMOS管MN6漏极连接第三PMOS管MP3漏极、第四PMOS管MP4栅极和第五PMOS管MP5的栅极；第一电阻R1一端连接第四PMOS管MP4的漏极，一端连接第六PMOS管的源极和衬底、第一运算放大器EA1的负相端；第一运算放大器EA1输出连接至第六PMOS管MP6栅极；第三PMOS管MP3和第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2的源极和衬底均接VDD；第四PMOS管MP4和第五PMOS管MP5的源极均接IN，衬底均接VDD；输出端OUT接第五PMOS管MP5的漏极、第一运算放大器EA1的正相端和第二电阻RL的一端；第二电阻RL的另一端接地；所述第一运算放大器EA1为PMOS管和NMOS管构成的运算放大器。

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