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龙图腾网恭喜韩华QCELLS有限公司申请的专利双面太阳能电池、太阳能模块及双面太阳能电池的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112567532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980036236.1，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权双面太阳能电池、太阳能模块及双面太阳能电池的制造方法是由A·施瓦贝迪森;J·切斯拉克;V·默滕斯;M·容塔内尔设计研发完成，并于2019-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本双面太阳能电池、太阳能模块及双面太阳能电池的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双面太阳能电池，其具有背面的层堆叠，其特征在于，所述背面的层堆叠具有AlOx层1、一个或多个SiNx层2、3、5和SiOxNy层4。此外，本发明涉及一种太阳能模块，其具有多个这样的双面太阳能电池。此外，本发明涉及一种用于双面太阳能电池的制造方法，其中，在将石墨舟作为晶片载体的管式PECVD设备中沉积由AlOx层1、SiNx层2、3、5和SiOxNy层4组成的背面的层堆叠，并将这些层相继涂覆在同一个管中。

本发明授权双面太阳能电池、太阳能模块及双面太阳能电池的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双面太阳能电池，其具有背面的层堆叠，其中，所述背面的层堆叠包括AlOx层（1）、一个或多个SiNx层（2、3、5）和SiOxNy层（4），其中，所述AlOx层（1）的折射率处于1.5至1.7的范围内，所述SiNx层（2、3、5）的折射率处于2.0至2.4的范围内，所述SiOxNy层（4）的折射率处于根据DIN在波长632nm下测得的1.5至1.9的范围内，并且其中，所述AlOx层（1）的厚度处于5至20nm的范围内，布置在所述AlOx层（1）的背离衬底的一侧上的SiNx层（2、3）的厚度处于20至50nm的范围内，布置在所述SiOxNy层（4）的背离所述衬底的一侧上的第三SiNx层（5）的厚度处于5至30nm的范围内，并且所述SiOxNy层（4）的厚度处于40至80nm的范围内，所述AlOx层（1）布置在所述太阳能电池的衬底上，所述SiNx层（2、3）布置在所述AlOx层（1）的背离所述衬底的一侧上，并且所述SiOxNy层（4）布置在所述SiNx层（2、3）的背离所述衬底的一侧上。

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